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[参考译文] UCC27282:内置自举二极管

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27282

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1281110/ucc27282-built-in-bootstrap-diode

器件型号:UCC27282

大家好!

我有一个与 UCC27282相关的问题。

可以连续多少电流流经内置自举二极管?
此外、脉冲电流的最大值是多少? 例如、我想检查在最初为自举电容器充电时可以流过多少电流。

在6.5电气特性中、HB 静态电流(iHB)的最大值为0.4mA。


图6-2. HB 静态电流最大值为0.18mA。


有何差异? 最大0.4mA 是否由器件差异造成? 或者是否存在其他情况?

此致、
石渡市

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    石渡喜

    感谢您关于 UCC27282的问题。

    为了获得自举二极管的最大电流、二极管平均电流应保持在80mA 以下。 此平均值可通过使用开关频率(FSW)和连接至 HO 引脚的高侧 FET 的总电荷 Qg (I = Qg * FSW)得出。 该器件没有自举二极管的内部串联电阻、但二极管的动态阻抗(约为1.5 Ω)有助于限制峰值正向电流、并在大多数应用中防止损坏。 在1MHz 使用了较小低侧最小脉冲宽度的高开关频率(FSW>FET)应用中、二极管正向和反向峰值电流非常高、因此我们建议使用外部肖特基自举二极管。

    对于最大 HB 静态电流、该最大值和典型值将在除温度之外的相同测试条件下完成。 这可能是器件变化和对不同温度的响应造成的。

    如果有任何其他问题、请告诉我。

    谢谢!

    威廉·摩尔

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    您好、William、


    感谢您的答复。 这是一个很大的帮助。

    我可能无法正确理解它、但是
    脉冲电流的最大值是多少? 例如、我想检查在最初为自举电容器充电时可以流过多少电流。

    我还有一个问题。
    如下图所示、在 HB 和 HS 端子之间插入一个电阻器、以限制流向自举电容器的电流。 此类电路是否会影响 IC 的运行?

    感谢您的支持。


    此致、
    石渡市

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    石渡喜

    最大脉冲电流并未指定值、因为要考虑许多因素、例如压摆率、死区时间和脉冲持续时间。 但是、您可以使用自举电阻器控制启动期间可以流过的电流大小。 有关如何选择该电阻以及它如何影响电路的更多信息、请参阅 第3.4节中的针对半桥配置的自举电路选择应用手册。 您认为将此电阻器串联是正确的、但通常应在 VDD 引脚上将该电阻器串联。 该自举电阻器将在启动期间限制二极管上的峰值电流。

    如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

    谢谢!

    威廉·摩尔

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    您好、William、

    感谢您的答复。

    关于 HB 和 HS 端子之间的电阻器和电容器、您在下面推荐的电路是否正确? 当输入到 VDD 时、使用电阻器来限制峰值电流?

    此致、
    石渡市

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    您好、石渡山、

    两个选项(VDD 上的电阻器和 HB 上的电阻器)均可行。 如果您跟踪导通环路、则可以看到该电阻器确实有一些后果。 VDD 上的电阻器与以下器件串联:

    1. LO 导通环路(因此其作用类似于栅极电阻、并具有压降)
    2. 自举二极管(因此它会根据您的需要限制该电流)

    HB 上的电阻器具有相同的功能、仅用于 HO 导通、而不是 LO 导通。

    另一种选择是在器件的 HS 和低侧 FET 的漏极之间放置一个电阻器。 该方法也有缺点:

    1. 该电阻器上的压降会在高侧 FET
    2. 它位于高侧的关断环路中。

    抱歉答案很长、但所有这些选项都需要权衡。  

    谢谢。

    A·M·

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    您好、William、


    感谢您的答复。 这是一个很大的帮助。

    我想确认我的理解是否正确。
    在以下电路中、可以限制电流、但缺点是 HO 的作用类似于栅极电阻、因此会出现压降、因此必须小心。
    我的理解是否正确?

    感谢您的支持。


    此致、
    石渡市

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    您好、石渡山、

    没错。 例如、HB 上有一个 UVLO 电路、如果压降足够大、则可能会触发该电路。  

    谢谢。

    A·M·