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您好！
我需要200V EPC2304的低侧栅极驱动器。 2A/5A 的拉电流和灌电流即可。
我找到 UCC27611、LMG1020等。
您能比较一下并建议使用哪一个最好的方法吗？
另请提供相关无源器件选择的应用示例的链接。
谢谢你。
尊敬的 Milarepa：
为了驱动 GaN 器件、我建议使用 LMG1020、因为它在面向 GaN 功率器件(5V)的电压下具有更高的拉电流/灌电流和更快的时序特性。 此外、它的占用空间也小得多。
假设您说无源组件时指的是栅极电阻、那么此处是有关栅极电阻器设计的技术手册： https://www.ti.com/lit/an/slla385a/slla385a.pdf。
谢谢。 鲁巴斯
感谢您的建议。
我还有几个问题。
200V EPC2304的建议栅极驱动器是 EPC 推出的12V 半桥驱动器。 LMG1020是一款5V 低侧驱动器。 将使用5V 驱动器而不是12V 驱动器、这会造成任何问题。 我只需要一个低侧驱动器。
2. LMG1020是7A/5A 驱动器。 EPC2304的 Qg 在其数据表中为25nC (100V、32A)。 如果 VDS 更改为200V、Qg 是否会变化。
3. Qg 为25nC 时,电流上升时间约为3.5ns ,下降时间为5ns ?
请回复。
1.如果您在低侧配置中使用 EPC2304、则只需要一个低侧驱动器。 GaN FET 的栅极电压范围更有限、不应超过~6V 的最大值、因此5V 驱动器将能够完美地工作。
2.随着 VDS 的增加，CGD 电荷 Crss 也会增加。 因此、这最终会增加 Qg 值。
3.假设 VDD = 5V、我们可以得出 Cg = Qg / VDD = 500pF。 从下面的开关特性表中可以看出、Cload 条件为100pF、因此我们可以假设上升/下降时间随 Cload 线性增加。 我们500pF 的 Cg 是负载条件的5倍、因此将上升/下降时间调高5倍可以提供接近的估算：tr = 1.875ns、tf = 1.75ns。 这里假设没有外部栅极电阻。
谢谢你的答复。 在 Cg 计算为500pF 时、您将 Qg 取为2.5nC。 但 EPC2304数据表中的总栅极电荷为24nC (100V、32A)。
您可以澄清一下。
抱歉、 我在计算时可能输入了错误的内容。 Qg = 24nC、Cg = 4.8nF、比测试条件大48倍。 根据此估算、tr = 18ns、tf = 16.8ns。
谢谢 鲁巴斯
