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器件型号：LM5116 我的应用需要高电压输入、例如50-300Vc、输出28Vdc、4A。 我选择了 LM5116、因为它具有同步整流器和高效率。 由于它的最大输入是100Vdc、我在应用中添加了外部栅极驱动器。 因此、SW 已连接到 GND。 我附上了原理图。 在我的系统中有其他电池(25V)连接到输出。 因此、我需要 LM5116正常启动、使用预偏置电压、不消耗电池电量。
问题是
1.如果 DEMB 通过原理图等10K 电阻接地、与启动和轻负载时一样、是否仍支持二极管仿真？
2.由于软件接地，自适应死区时间功能是否仍然可以工作？
如果高于两个位置时停止工作、除了效率外、我的电路是否按预期工作？ 如果是、我损失了多少效率？
第三个问题、我可以使用 GaN MOSFET 来替换电路中的 SIC MOSFET 吗？ 如果是、如何计算 GaN MOSFET 的开关损耗？ 我的应用中的开关损耗在数据表的第27页中非常高。
谢谢
请忽略+18V_Start、它应该为15V。
