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[参考译文] LM7472EVM:背对背应用中的共源极或共漏极

Guru**** 2390190 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1276725/lm7472evm-common-source-or-common-drain-in-back-to-back

器件型号:LM7472EVM

大家好、

我有疑问。 共源极和共漏极之间的区别是什么? 在我看来、这两种拓扑似乎是相同的。

此致、

庄司

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    尊敬的 Shoji:

    FET 方向是共源极和共漏极拓扑之间的差异。  

    在共漏极拓扑中、理想二极管 FET 连接在输入端、而负载开关 FET 连接在输出端。 因此、共漏极点是常开节点、因为 即使在输入电压大于输出电压的情况下关断 FET、理想二极管 FET 也会导通。  

    在共源极拓扑中、 负载开关 FET 连接在输入端、 理想二极管 FET 连接在输出端。  此拓扑适用于输入浪涌/瞬态电压可能超过70V 绝对最大额定值的应用(例如200V 未抑制负载突降)。

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    您好 Praveen:

    很抱歉耽误我的时间。

    那么、拓扑浪涌能力和中点导通时序之间的区别是什么?

    在寄生二极管方向方面、两种拓扑都可以实现反极性保护和反向电流保护、对吗?

    此致、

    庄司

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    尊敬的  Shoji:

    CS 拓扑可提供 CD 拓扑不支持的浪涌保护。  

    CD 拓扑有一个 常开节点、该节点受到输入反极性保护。 这在 CS 拓扑中不可用。

    是的、两种拓扑都可以提供反极性保护和反向电流阻断功能。  

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    您好 Praveen:

    感谢您的回答!

    此致、

    庄司