主题中讨论的其他器件: BQ25792
您好、先生/女士:
请帮助我们查看我们 的原理图、我们正在使用 TPS25750+BQ25792解决方案。
如果有任何潜在问题、请告知我们。
期待您的反馈。
非常感谢。



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尊敬的 Statham:
对于 TPS25750:
谢谢。
字段
高场:
我们对功率流有一些怀疑、我们查看了对电源路径没有电流限制的 TPS25750数据表。
我们再增加一个 TP259460、以防止过流和短路。
但从 CN1 (Type C 连接器)到电池充电器 VBUS (U1)、有2个背对背 MOSFET (包括 TPS25946x、Q1和 Q2)。
是这样吗? 是否有任何方法可以保存 Q1和 Q2?
请向我们提供您的建议。
非常感谢。
@í a Mateusz、
请参阅数据表部分中先前链接的子注释(2)、该子注释从指明这是一项要求的第一个要点开始、这是 Cpp5v 的子注释(2)。 如果您希望对设计进行原理图审阅、可以相应地创建新的 E2E 主题并添加您的问题。
@ Statham,
您是否指的是由 Gate_vBus 和 Gate_vsys 驱动的 FET?
是否有任何方法可以保存 Q1和 Q2?
您是否想问如何保护 Q1和 Q2免受过流和短路的影响?
谢谢。
字段