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[参考译文] LMG3522R030：有关替换竞争对手器件的参数和建议

admin
Guru**** 1108040 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3410R050, LMG3522R030, LMG3410R070, LMG3410R150
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1280476/lmg3522r030-parameters-and-suggestion-on-replacing-competitor-device

器件型号：LMG3522R030
主题中讨论的其他器件： LMG3410R070、 LMG3410R150、LMG3410R050

大家好、

我的客户正在寻找 GaN 解决方案、目前正在寻找竞争对手的器件 TK12A60W。

我 向客户推广了 LMG3522R030、但难以找到以下参数来与竞争对手器件进行比较、有人能帮助填写下表吗？

TK12A60W LMG3522R030
FOM 7.5  
Qgs 25 nC  

我还认为对于仅需要不到11A ID 的客户应用、LMG3522R030会停用、是否有任何 相关建议？

此致、

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    TI__Guru**** 1108040 points
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    尊敬的 David：

    它们是否 并联使用 TK12A60W FET？  

    对于此应用、我建议查看 LMG3410R050、 LMG3410R070或 LMG3410R150。 它们是带有集成驱动器的600V GaN FET、分别是50mΩ、70mΩ 和150mΩ。 由于 TK12A60W 的 Rdson 为265mΩ、因此可以将多个 TK12A60W 替换 为单个 LMG3410Rxxx 器件。