Other Parts Discussed in Thread: UCC28950
我想使用 IGBT 设计一个相移全桥、因此我无法使用 UCC28950 Excel 文件中给出的公式来计算 MOSFET 损耗。 我查看了 https://www.ti.com/seclit/ug/slyu036/slyu036.pdf 、但为 T1给出的值似乎不正确。 T1不应是如下所示的时间间隔：
您好！
UCC28950的 Excel 设计是根据应用手册 SLUA560中的公式开发的、您可以在以下链接中找到该应用手册。
https://www.ti.com/lit/pdf/slua560
此 Excel 工具使用变压器变压器 RMS 电流来估算 H 桥 FET 损耗(QA..QD)。 该变压器 RMS 电流
基于可在一些电源设计教科书中找到的以下公式。
经过审查、 变压器 RMS 电流实际上是独立 H 桥 FET RMS 电流的2倍。 这是因为 H 桥 FET 仅在每隔一个主开关周期运行一次。 因此、FET 中的 RMS 电流损耗是该工具计算出的损耗的一半。
我查看了 H 桥 FET 损耗计算、并且在 QAG 之前有2倍因子、这也是过度估算的。 因此、H 桥 FET 的计算将大量超过估算值2。
我将告诉应用团队、H 桥 FET 损耗已过高估计。 如果您使用 Excel 设计工具、请注意、更准确地估算 FET 损耗将是 Excel 工具计算结果的一半。
此致、
您好！
对于相移全桥平均值、平均 H 桥 FET 电流(Iavg)为：
Iavg =((Imax+Imin) * D/2 +(Immax+Imin)*((1-D)/2))*(1/2)
此致、
您好！
Excel 工具 RMS 变压器初级电流基于应用手册 slua560的图4-1中的变压器电流。 请参见下图。
此致、
