[参考译文] TPS62825：关于外部元件引起的开关频率变化。

尊敬的 Kei：

感谢您与我们取得联系、我将在本周晚些时候与您联系。

此致、
路易

尊敬的 Kei：

需要前馈电容器 C3、因此条件3和4无效。

关于条件1和2、您能否向我提供 Cout 的确切器件型号？ 这些22uF 电容器和47uF 电容器的外壳尺寸是否相同？ ESR 和 ESL 会影响 DCS 频率。

此致、
路易

尊敬的 Louis：

感谢您的答复。

我会在几天内回复您。

此致、
凯

尊敬的 Louis：

实际上、我使用了两个10uF 来生成20uF。

具体的器件型号如下
10uF：GRM155C80J106M (Murata)
47uF：GRM188R60J476M (Murata)

就尺寸而言、10uF 更小。

我随附了其他评估结果、供您参考。

此致、
凯

尊敬的 Kei：

路易目前不在办公室。 请允许我作出回应。

开关频率取决于输出纹波量。 因此、输出电容的更高 ESR/ESL 会导致更高的纹波、从而使磁滞环路响应更快并变为更高的开关频率。 这可能就是为什么您会看到47uF、ESR/ESL 开关的频率更高。  

如果添加了不同数量(2到4)的10uF 电容器、则理论上有效 ESR/ESL 应该会降低。 但是这些电容器的放置也很重要、对于放置在远离电感器的电容器、电路板 ESR/ESL 可能更高。 如果您将所有电容器相互叠加并靠近电感器、您可以检查结果是否发生变化吗？  

此致、

瓦伦  

尊敬的 Varun：

感谢您的答复。

我在某些条件下检查了开关频率。
结果如下。

如果电容器位于反馈点之后、则开关频率更低(1.9MHz)。
另一方面、如果电容器位于反馈点之前(靠近电感器)、则频率会更高(2.2MHz)。
四个电容相互堆叠。

您是否考虑过原因是什么？

此致、
凯

尊敬的 Kei：

今天是在德国的假期。 Varun 明天会回到你的身边。

谢谢

杨恩

Yann、您好！

感谢您的答复。 我会等待进一步回复。

此致、
凯

尊敬的 Louis：

感谢您的解释。

关于"来自电感器的磁场部分耦合到输出电容器的 ESL 上、导致 ESL 电压阶跃增大、从而导致输出纹波增大"、您能否提供更详细的解释？ 如果您能用一些 数字或插图进行解释、我将不胜感激。

此致、
凯

尊敬的 Kei：

以下文章在您的案例中是一篇有趣的读物：
了解和管理降压稳压器输出纹波-电源管理-技术文章- TI E2E 支持论坛)

总之、输出电容器的 ESL 将对总输出纹波产生方波分量、请参阅 下面的图1。

非屏蔽式电感器将在其引线周围产生磁场、见图3。 如果输出电容器过于靠近电感器、该磁场将耦合到其 ESL 上、从而增大图1中输出纹波的方波分量、从而增大总输出纹波本身。

因此需要进行权衡：使输出电容器更靠近 电感器可以减少 PCB 布线 ESR 和 ESL、但会增加来自电感器的磁耦合。

此致、
路易

尊敬的 Louis：

感谢提供详细的解释。

我有几个问题。

1.
对于"如果输出电容器离电感器太近、该磁场将耦合到其 ESL 上、从而增大图1中输出纹波的方波分量"、这意味着当发生耦合时、公式中的电流"i"会增大。 Vrippe_ESL 增大时、我的理解是否正确？

2.
TPS62825数据表中的开关频率数据是否受耦合影响？
我认为这些数据是使用 TPS62825EVM 测量的、而且由于此电路板的电感器和电容器彼此靠近放置、因此数据可能会受到这种耦合的影响。

3.
TPS62825尝试提高其开关频率以减少输出纹波。 不过、如果开关频率(2MHz)周围的环路增益很小、我认为频率周围的纹波不受控制、从而导致输出开关频率、是否正确？
针对我之前的帖子、当没有 Cff (120pF)时(这意味着在高频下增益较低)、开关频率较低(约为1.6MHz)。

4.
在下面的结果中、当 Cout 为20uF (10uF x2)且 Cff 时、开关频率低于其他条件。 例如、30uF (10uF x3)。 这是否意味着20uF (10uF x2)的 ESL 比其他条件更低？ 或者在这种情况下耦合是否较少？

此致、
凯

尊敬的 Kei：

我会在下周开始。

此致、
路易

尊敬的 Louis：

感谢您的详细解释。
我知道 DCS 控制器件不适合固定频率。

关于第4点、在此测量中、通过堆叠电容器来实现并联连接。

此致、
凯

尊敬的 Kei：

我不确定问题4中的测量会发生什么情况。 我必须在内部查看。

此致、
路易