专家、您好!
1.从数据表中我只能在 Vin=13V 时获得 ISD 数据、请在 Vin=20V (考虑 TJ=125C 或150C)时提供数据。 谢谢!
2.此器件能否承受输出短接到输入测试的情况(Vin 和 Vo 见下图)? 会发生什么情况? 您能否提供测试报告?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
专家、您好!
1.从数据表中我只能在 Vin=13V 时获得 ISD 数据、请在 Vin=20V (考虑 TJ=125C 或150C)时提供数据。 谢谢!
2.此器件能否承受输出短接到输入测试的情况(Vin 和 Vo 见下图)? 会发生什么情况? 您能否提供测试报告?
您好、Zhiyaun:
请在下面找到我对您的问题的解答:
1:该器件已发布、电气特性表和限值是最终值。 如果您想为您的应用测试某个值、请订购 EVM 并在工作台上测量: https://www.ti.com/tool/LM63615QDRREVM
此 EVM 上的器件是不同的可订购器件型号、但它将正确反映 LM63610-Q1的行为。
2:该器件可以承受输入电压到输出电压的短路。 电感限制了峰值电流。 但是、建议在您的应用板上进行评估。 此外、如果 Vout 上升到 Vin 以上、建议在 Vout 和 Vin 之间设置一个肖特基二极管。
此致、
拉赫蒂·里奇