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[参考译文] LM25116:如何选择 MOSFET

Guru**** 2412000 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1275158/lm25116-how-to-choose-a-mosfet

器件型号:LM25116

我正在设计和评估它,但发生了以下症状。

设计规格:
VIN= 14V、Vout=10V
f=100kHz、Iout=3.5A

1.没有负载时电压输出不正确。
2.连接电机并给电机施加负载后、负载电流从大约1A 变为2A、输出波形中出现纹波、纹波高于正常电压。

我已经在 MOSFET (IRFH5300)的栅极中放置了一个9.1Ω 电阻器、但当我将其短接时、"1"提高了。
这似乎与 MOSFET 有关。

我的问题是、
是否已确定外部 MOSFET 的最大工作容量?
如果确定了该值、如何从数据表中找到该值?

通常不是用来在栅极中放置一个电阻器吗?
不过、这似乎超出了电源 IC 侧栅极驱动器的输出电流能力。

即使工作频率发生变化、PWM 比较器的强制 HO 关断时间和最小 HO 导通时间是否相同?
另外、这是否意味着我必须使用可以最短 HO 导通时间(100ns)导通的 MOSFET 和可以强制 HO 关断时间关断的 MOSFET?

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    您好,nnn  

    如果 QGATE x FSW x N 大于 VCC_CURRENT_LIMIT (其中 N 是 MOSFET 的数量)、则器件无法驱动 MOSFET  

    2.通常使用栅极电阻来降低 EMI。 添加栅极电阻器后、请再次检查死区时间是否足够。  

    3.强制 HO 关断时间和最小 HO 导通时间不受开关频率的影响。 是的、该器件应能够在强制 HO 关断时间和最短 HO 导通时间限制内导通和关断 MOSFET。  

    - EL

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    即使我不在栅极放电阻器、长时间运行 IC 也不会损坏吗?

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    您好,nnn  

    如果您想要进行更多调查、请分享原理图并向我发送已完成的快速入门文档以进行审核。   

    另外、请发送一些波形、包括 SW 和电感器电流。

    - EL

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    关于电路、由于 MOSFET 的 Qg 看起来太大了、所以我会回顾一下。
    在第二个问题中、我想问的不是我设计的电路、而是设计它时的理论思维方式。

    我想改变我提问的方式。
    查看评估板的电路图、MOSFET 的栅极中没有电阻器、但电源 IC 是否会持续很长时间而不会受损?
    我认为过大的电流会瞬时流过、以便为栅极的 Qg 充电、但如果不会损坏、理论基础是什么?

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    您好,nnn

    查看评估板的电路图、MOSFET 的栅极中没有电阻器、但电源 IC 是否会继续工作很长时间而不会受损?=>是的、在没有栅极电阻器的情况下长时间运行没有问题。  

    我认为过大的电流会瞬时流过、以便为栅极的 Qg 充电、但如果不会损坏、理论基础是什么?  =>我们设计此器件是为了处理对 MOSFET 栅极电容充电时的峰值电流。  

    - EL