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[参考译文] UCC28950：工具--一次侧 MOSFET 计算中的说明&&

admin
Guru**** 2782445 points

Other Parts Discussed in Thread: UCC28950

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1276902/ucc28950-tools---clarification-in-the-calculation-of-primary-mosfet-s-loss

器件型号：UCC28950

您好！

我们目前正在设计采用 ucc28950控制器的相移全桥转换器。 在等式59 (数据表的第43页)中、计算了初级 MOSFET 的损耗。 该方程式使用均方根(rms)电流、该电流与用于变压器绕组的电流相同。

然而，似乎存在潜在的监督。 考虑到每对 MOSFET 仅导通半个周期、存在一个问题：是否应调整计算以考虑 MOSFET 主动导通的持续时间？ 请您澄清这一问题吗？

此致。

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    TI__Guru**** 2782445 points
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    您好！

    您在数据表或应用手册中也提到了该公式吗？

    此致、

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    TI__Guru**** 2782445 points
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    您好

    我指的是 UCC28950数据表中的第43页。 请再加一个问题、在下一个公式60中、它乘以4即可计算 MOSFET 中的总损耗。 由于只有两个 MOSFET (每个桥臂内一个)在同一个导通、倍增因子应该为2。 TI 对此有何看法？

    https://www.ti.com/lit/ds/symlink/ucc28950.pdf?ts = 1694613324335&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FUCC28950%253FkeyMatch%253DUCC28950%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253DGPN-ALT

    此致

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    TI__Guru**** 2782445 points
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    您好！

    我正在审查您的查询、并会很快回复您。

    此致、

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    TI__Guru**** 2782445 points
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    您好！

    查看第43页的公式后、我认为正确的是、为了精确估算 FET H 桥损耗、总功率损耗将乘以2而不是4。  谢谢您指出这些内容、我现在将让应用团队进行了解。

    此致、

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    TI__Guru**** 2782445 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    谢谢您的留言。 我之前对同一页上的公式59提出的问题是、它使用变压器 RMS 电流来计算 MOSFET 中的损耗呢？

    此致

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    TI__Guru**** 2782445 points
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    您好！

    我正在评估您的查询、很快会回复您。

    此致、

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    TI__Guru**** 2782445 points
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    您好！

    公式43和44用于计算公式45中的变压器 IRMS 电流、公式45是 RMS 电流的平方之和。

    它源自许多电源文本书籍中的以下 RMS 电流。

    根据估计、在 HBridge 中、两个 FET 始终导通。流经 FET 的 RMS 电流应与变压器相同。

    因此、使用变压器 RMS 电流来估算 FET 损耗是一个很好的假设。

    此致、