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器件型号：LMG1020 我们计划将 IS 器件用作以250 MHz 50%占空比运行的射频 MOSFET E 类放大器的栅极驱动器。 虽然数据表 指出该器件适用于高达60 MHz 运行、但上升和下降时间是适当的。 对于开关 MOSFET 的 Ciss、负载为50-75pF。
我们在 LTSPICE 仿真中看到的一个问题是电流与数据表根本不相符、它是一个降低4-10倍的系数。 有人想知道为什么会这样吗？
另一个问题是功率耗散。 按频率缩放电流 IDD、op、250 MHz 和100pF 负载处的 IDD 应接近400mA、因此功耗约为2W。 没有散热器、这看起来像是过热情况。 有没有想过如何把这么小的部分散热？ 此情况必须是散热器、因为结至电路板热阻为30-40 C/W。 当然、降低容性负载应该会降低功耗、但不确定内部设计以及这是否会很重要。
LMG1025的电路板热阻可能更好、但键合线电感较高、因此不确定250 MHz 和50-75 pF 负载电容是否也是这种选项？
