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[参考译文] CSD19536KTT：器件性能优于 CSD19536KTT

admin
Guru**** 2380610 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT, CSD19506KTT
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1274910/csd19536ktt-better-device-than-csd19536ktt

器件型号：CSD19536KTT
主题中讨论的其他器件： CSD19506KTT

大家好、

有没有规格比 CSD19536KTT 更好的80V/100V NMOS？ SOA 特性要求尽可能好、而且封装可以大于 TO-263。

尼森

  • 0
    TI__Guru**** 2380610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Nison：

    谢谢咨询。 CSD19536KTT 是我们 D2PAK 中最高性能的100V FET。 另一个唯一的选择是80V CSD19506KTT、该器件具有略低的导通电阻(VGS = 10V 时2.3mΩ 最大值与2.4mΩ 最大值)。 然而、CSD19506KTT SOA 性能不如 CSD19536KTT。 这两个器件还采用引线式 TO-220封装。 如果您有任何问题或需要其他信息、请告诉我。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用