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[参考译文] BQ2970：初始"bootstrap "问题

admin
Guru**** 1729330 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ2970, CSD85301Q2
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1269301/bq2970-problem-with-initial-bootstrap

器件型号：BQ2970
主题中讨论的其他器件： CSD85301Q2

大家好、

我正在测试该锂离子充电器/保护器、如这里的原理图所示：

问题是 BQ29700不会 在电池模式下启动(QP1-2不触发)、除非我连接 USB-C 充电器或 用手指触摸 UP1引脚3和 QP1引脚5 (GATE)之间的连接 (如原理图中所述)。

您有什么建议来解决该问题？  

提前感谢

MD

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    TI__Guru**** 1729330 points
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    尊敬的 Marco：

    有时、当首次连接电池时、放电电路未启用、V-引脚必须短接至 VSS 引脚、或者必须在 PACK+和 PACK-之间连接充电器以 解决该问题。

    此致！

    安德里亚

  • 0
    TI__Guru**** 1729330 points
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    您好 Andria、感谢您的回答。

    是的、我知道这一点。

    但还有另一个问题：电路的其余部分上电后(连接充电器或"触摸"栅极)、有时 QP1 MOSFET 再次打开、从而使整个板关闭；如果我用手指看魔术点、一切都正常工作。 好像"缺少"一个下拉电阻器。。。 不知道该怎么做

  • 0
    TI__Guru**** 1729330 points
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    尊敬的 Marco：

    我 认为、将手指触摸到 DSG FET 的栅极没有像5M Ω 电阻器那样具有下拉电阻器的效果。  5M Ω 电阻器放置在 FET 的栅极和源极之间、有助于对栅极电容进行放电。  如果需要、增加 FET 栅极的下拉效应会使 FET 保持关断状态、而不会导通 FET。

    为了帮助解决您的问题、我想您探测 DOUT 引脚、以查看以下情况：

    1. DOUT 引脚在 FET 打开期间打开-它是否试图向 FET 的栅极提供高压信号？
    2. 系统中存在噪声。  您的手指可能会对电路产生电容效应并帮助处理噪声。

     一般经验法则是：如果您的手指湿了、就会增加电阻；干了、就会增加电容。(：

    此致！

    安德里亚

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    TI__Guru**** 1729330 points
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    尊敬的 Andria：

    进一步测试表明编程/测试装置上存在一些故障连接-现在 bq299700 +相关 MOSFET 看起来如预期般工作。

    但还出现了另一个问题：OCD (放电过流保护)跳线过多、切断了微处理器的电源并导致复位；我看到有很多 bq297xx 型号、我如何选择具有所需 OCD 电流限制的型号？ 我已经看了数据表、但它非常复杂、没有神奇的公式来基于 OCD 电流选择正确的芯片？

    此致！
    马可

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    TI__Guru**** 1729330 points
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    尊敬的 Marco：

    我很高兴听到您发现了问题的原因！

    如果您告诉我您要查找的阈值、我可以帮助推荐您需要的器件。

    此致！

    安德里亚

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    TI__Guru**** 1729330 points
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    尊敬的 Andria：

    我需要大约2.0A、3.0A 和4.0A 的 OCD 电流限制(三个不同器件)。  电池为单节4.2V 锂离子电池。

    谢谢！

    m

  • 0
    TI__Guru**** 1729330 points
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    尊敬的 Andria：

    经过几次测试、电路板的唯一问题是 bq29700、当流耗增加时、它将切断连接。


    请给我一些建议、以便根据所请求的电流选择最佳的 bq297xx 版本(2A、3A 和4A -最好使用一个公式)、如果您需要一些其他参数、请告诉我。

    此致
    MD

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    TI__Guru**** 1729330 points
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    尊敬的 Marco：  

    由于 BQ2970测量保护 FET 两端的压降、所以器件比较表中列出的所有电流阈值都是电压。  以下是确定阈值的步骤：

    1. 确定所需的最大放电电流(Idmax)
    2. 确保在放电电流超过 Idmax 之前不触发放电过流电路。
    3. 两个外部 FET (CHG + DSG)上所允许的总电阻应为 OCD/Idmax =总导通电阻 。  
      1. 请注意、此公式中列出的 OCD 变量将是您要查找的 OCD 阈值。
    4.  根据两个开关的总导通电阻信息、根据最大充电电流(Icmax)确定 OCC 阈值。
      1. 总导通电阻×Icmax = OCC
      2. 选择 OCC 阈值等于或略高于计算得出的 OCC 的器件。

    希望这对您有所帮助！

    此致！

    安德里亚

  • 0
    TI__Guru**** 1729330 points
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    尊敬的 Andria：

    非常感谢您的详细、清晰的解释！

    不妨看看、 如原理图所示使用 CSD85301Q2 MOSFET：

    总 MOSFET 电阻(Vgs = 2.5V 时、电路中的最坏情况)= 0.033 x 2 = 0.066欧姆

    在 Ids = 3A 时：V = 0.066 x 3 = 0.099V <--只比 bq29700阈值低1mV！！ 问题就在这里！！！

    我将尝试用 bq29702 (OCD 阈值= 0.160V)更改 bq29700并将结果发布在此处。

    BTW、bq297xxDSER 和 bq297xxDSET 之间没有区别、但打包对吗？

    再次感谢您！

    马可

  • 0
    TI__Guru**** 1729330 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Marco：

    是的、我建议使用具有您所需阈值的器件重新尝试电路、以避免触发任何故障和保护。  

    R 和 T 之间的差异是卷带与卷带。  每个卷具有不同的最低订购量、因此请注意这一点(卷带的 MOQ 通常更高、成本更低)。  

    此致！

    安德里亚

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    TI__Guru**** 1729330 points
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    尊敬的 Andria：

    这是一个简短的说明、用于确认现在一切都能 与 bq29702 (比 bq29700高放电电流限制)正常工作。

    非常感谢您的帮助、此致

    MD

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    TI__Guru**** 1729330 points
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    尊敬的 Marco：

    感谢您的更新、祝您在整个项目中一切顺利！

    此致！

    安德里亚