主题中讨论的其他器件:UCC28740、
您好!
我想将 SiC MOSFET 用作初级侧开关。 UCC28740-Q1被设计成仅直接驱动 Si MOSFET 栅极。 当我尝试使用单独的栅极驱动器 IC 或从 VDD 获取电源的推挽式栅极驱动电路时、反激式器件会 在不到设计过流保护值的三分之一时关闭。 是否有任何通过电路可靠地将 SiC MOSFET 与 UCC28740搭配使用的示例?
此致
阿比谢克
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
我想将 SiC MOSFET 用作初级侧开关。 UCC28740-Q1被设计成仅直接驱动 Si MOSFET 栅极。 当我尝试使用单独的栅极驱动器 IC 或从 VDD 获取电源的推挽式栅极驱动电路时、反激式器件会 在不到设计过流保护值的三分之一时关闭。 是否有任何通过电路可靠地将 SiC MOSFET 与 UCC28740搭配使用的示例?
此致
阿比谢克
您好!
实际上、当负载增加时、稳压在某一时刻丢失、然后进入 CC 模式、再复位。 由于无法进行调节、偏置绕组上的电压也会下降、因此即使在增加偏置电容后、也无法解决问题。 问题是、当我们使用具有 BJT 或 MOSFET 的图腾柱栅极驱动电路时、此复位会在比设计的过流保护限制低得多的负载下发生。 当直接通过控制器的驱动引脚进行驱动时、它可以正常工作。
此外、当输入电压增加时、此负载能力持续降低。
我正在使用此图腾柱栅极驱动电路、如 UCC28740的一个参考设计所示。