我目前正在使用 TPS61022升压转换器、其装置由2节 AA 电池组成。 我使用的输入电压为3V、这些电池能够提供最大的3000mA 十六进制电压
不过、我会遇到压降问题。 当未连接负载时、电源管理输出5.5V。 但是、一旦连接负载、问题就会出现、导致电压降至输入电压以下。
作为参考、我正在使用的负载的额定值为5.5V/ 700mA。
非常感谢您为应对压降挑战而必须提供的任何见解或建议。 您的专业知识对于解决此问题非常宝贵。
提前感谢您的帮助。
我的施
测试用例
输入电压：2.9V/3A
蓝色迹线是输出、红色迹线是输入。
在上述测试用例中、器件输出75mA。
谢谢
我又建造了3个单元,看到一个奇怪的问题。 施加负载后、电压下降、芯片开始变得很热。 浏览 TI 论坛时、我发现很多人都遇到了此 IC 的欠流/电压性能问题。
我的布局
尊敬的 Gama：
似乎是您的 PCB 遭受了 该 损坏。 糟糕的布局可能是导致这种情况的原因。 我 以前不知道是不是布局问题导致了您的问题。 但现在看起来 是这样(IC 问题不太可能损坏 PCB)。
布局指导为经验丰富的布局工程师提供了一些技巧、可能未涵盖您需要了解的所有内容。 由于布局问题太多、 我建议 复制布局示例或获取 EVM。
此致、
特拉维斯
尊敬的 Gama：
恐怕您的电源返回路径完全一团糟。 尽管 GND 平面使用两层、但电流仍需要绕较长的路才能返回芯片。 在输出端口上创建环路天线。
这些是电源路径、很显然、这些线对于8A 芯片来说不够宽。 Cout 应放置在 Vout 引脚附近的提示是为了降低输出电流上的阻抗(di/dt 较大)。 如果您的电线不够宽、这将毫无意义。
此外、SW 引脚 具有高电平(di/dt)、可产生 共模导电 EMI。 任何信号线都应远离 SW 网络。
在所有升压器件中、TPS61022 对布局格外敏感。 请复制该示例或 申请 EVM。
此致、
特拉维斯
我已装好新电路板
我相信大家都明白、大电路中电源始终是其中的一部分、而且大多数电路都有接地平面。 VOUT 也将为板上的几个部件加电。 所以我不明白在第一个电容中取 Vout 背后的原因。 在实际应用中、负载将远离 Vout。
即使采用了新的布局、似乎也没有任何改进。
还有其他建议吗？
尊敬的 Gama：
将输出电容器放置在尽可能靠近 VOUT 和 GND 引脚的位置可减少该非连续电流环路的寄生交流电感、然后为了降低 SW 电压尖峰、您可以参阅此应用手册以了解有关布局的更多详细信息。
再次回到系统问题、
首先、如果您要设置 Vout = 5.5V、则 R32应为817k 而不是866k。 当 R32=866k 时、为5.8V (Vout=TPS61022/R30*(R30+R32))、5.8V 超出 Vref 的建议电压范围。
然后、您是否测量了负载的负载电流？ 我 想 当系统稳定时、750mA 可能只是平均值、但负载可能具有较大的启动/瞬态浪涌电流、这可能会超过 TPS61022的电流限制或电池的最大输出电流？
谢谢。此致、
内森
大家好、Gama
波形是否发生了变化？
我需要知道您将 Cin 放在何处、因为 Cin 的布局也很重要。
此外、MLCC 具有直流偏置效应、这意味着在施加直流电压时其电容会降低。 请进入制造商的网页并检查 Cin 和 Cout 的有效容量。
以此 Murata GRM188R61A226ME15为例、其电压在5V 电压下的电容将减小74.7%、这意味着该22uF 电容器在5V 电压下仅具有5.5uF 的有效电容。
此致、
特拉维斯
您可以在最后付款图片中找到 CIN 位置。
这是波形
带70mA 负载
无负载
另外、正如我之前提到的、在使用几分钟后 、IC 开始变得非常热、从那时起、它永远不会工作、只要通电、它就会变得很热。
尊敬的 Gama：
振铃波形已连接。
此外、您还需要在该板上留出更多间隙。 斩波器彼此离得太近。 间隙超过8mil 就会更好。
此致、
特拉维斯
