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[参考译文] LM5113:LM5113内部 Boostrap 二极管启动时间、详细

Guru**** 1472385 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5113, LMG1205, LMG1210
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1270503/lm5113-lm5113-internal-boostrap-diode-startup-time-detailed

器件型号:LM5113
主题中讨论的其他器件: LMG1205LMG1210

您好!

我认为、我的建议是最新的、使用外部自举二极管来缩短 LM5113的启动自举时间。  我的理解是、它不是必需的、但可以提供帮助。  此处将全面介绍该主题。 

我无法理解的是、仅使用内部二极管时启动行为的不良程度。  芯片中到底发生了什么会导致启动时和运行期间的功能降级?  是否简单地说内部二极管有很大的串联电阻?  我们选择使用内部二极管是因为我们希望实现对内部钳位电路的保护、 我们在这里已经学习到、该保护仅在使用内部二极管时才起作用。

我们现在看到、有时高侧驱动需要~5ms 才能开始开关。  正常运行时、自举电容器的充电速度比此要快。  在进行开关之前、应该依赖于开关节点电压的大小。  5ms 长时间跨度是否可以通过使用内部二极管归因于性能上的启动损耗?

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    您好、Aidan:

    我已经研究了 LM5113的建议、它看起来像外部自举二极管、建议使用20 Ω 电阻器。

    有 新型 GaN 半桥驱动器 LMG1205和 LMG1210可以改善自举充电和过充预防功能。 我建议查看这些器件是否可用于您的应用。

    我必须确认仅内部二极管在启动时间方面的限制。

    此致、

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    我怀疑很多用户都上了 LM5113的车规级别、还没到 EOL、因此我们从零件上移开就不是很简单。  请告知我们有关限制的信息。

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    您好、Aidan:

    目前没有 LM5113 Q1级的 EOL 计划、即使这一情况被认为已经存在相当长的警告期。 关于仅使用内部二极管的启动时间问题、我需要联系以获取有关 IC 的一些详细信息。

    下周早些时候给我们几天时间、以便联系我们并获取详细信息以解决该问题。

    此致、

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    您好、Aidan:

    任何对 LM5113内部进行查看的请求都会最终建议添加外部自举二极管和20欧姆电阻。 我认为新型 GaN 驱动器有改进之处、可解决自举二极管的运行问题、我们建议查看更新的器件、以便改善内部自举二极管的运行。 我无法获得有关预测启动时间的具体指导、只能由内部一个自举二极管。 经证实、20欧姆串联电阻具有足够长的时间常数、可解决引导电容器过充问题。

    此致、