[参考译文] TPS51200：REFIN 分压器电阻值！

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

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器件型号：TPS51200

您好！

我在设计中使用 TPS51200作为 DDR4应用。

我需要为36个 DDR4器件提供 VTT 和 VTTREF 电源、这些器件的泄漏电流为2uA (每个 DDR、共72uA)。

VDDQ：1.2V

VTT：0.6V

泄漏电流：2uA X 36 = 72uA。

查看数据表第16页时、我得知"在选择电阻值时、应考虑 DIMM VREF 引脚的泄漏电流对基准电压的影响。使用公式4来计算电阻器值。"

该公式为我提供大约100欧姆的电阻器值。但您的所有示例设计和评估板设计在分压器电路中使用10K 电阻器。

请帮我解决这个问题、是否有任何其他假设我在此遗漏了？

我是需要保持一个更高的 øVREF Ω(大于1-2%)来保持较低的电阻值、还是需要保持较高的电阻器值来保持较低的 Vddq 容差？

谢谢！

R·库马

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2530840 points

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尊敬的 Raj Kumar：

如果我们使用数据表公式中的 VREF 变化百分比作为示例(+/-1%)、并将您在问题中提供的值(DIMM 总泄漏为72uA、VDDQ = 1.2V)代入、则可以看到公式的工作原理：

RREF =<(2 x ΔVREF Ω)/IREF

我们将使用+/-1%作为变化值、并将该值应用于1.2V VDDQ、得到 ΔVREF μ V。我们还将使用72uA 作为 IREF

=<[2 x (0.01 x 1.2V)]/0.000072A

=<(2 x 0.012V)/0.000072A

RREF =< 333 Ω

因此、根据该公式、RREF 应为333欧姆或更低。在数据表示例中、最终建议使用100欧姆以提供额外的裕度。

请注意、您需要找到特定 DIMM 器件的 VREF 变化百分比。在以上示例中、我使用了数据表编号+/-1%、但这可能不代表您的 DIMM 系统。

您可以仅使用数据表示例对此进行仔细检查、以查看4.5k 欧姆结果。只需将1.2V 替换为1.8V、将72uA 替换为8uA。

关于您要讨论的10k Ω 示例、我认为这些电阻器用于 TPS52100器件的 REFIN 引脚、但这不是此公式所讨论的。该公式与 DIMM 器件本身相关、而不是终端稳压器 IC 输入相关。我认为、上例中电阻分压器的要点是直接从 VDDQ 为 DIMM 器件上的 VREF 供电、从而绕过 REFOUT 在0.39V 的 VDDQ 之后开始的等待期。

此致、

詹姆斯

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