[参考译文] LM7480-Q1：有关其工作原理的一些问题

您好、下雨了、

1、图中所示的截止模式可以理解(通过控制 MOS 的开/关实现过压截止)、但芯片如何通过 MOS 实现钳位效应还不清楚？ 在钳位模式下、当输入电压超过37V 时、标记为 Q1的 MOS 晶体管在哪里工作？

A1：为了将器件设置为钳位模式、OV 电阻器梯形电路连接到输出端。 因此、LM7480-Q1器件现在监控输出电压是否发生过压事件。 当输出电压高于 OV 上升阈值时、Q1 FET 关闭。 当输出电容器放电(由于负载)时、当输出电压降至低于 OV 下降阈值时、Q1 FET 再次导通。 只要输入端存在过压、该开/关循环就会持续。  

2.如芯片产品说明书所述，该拓扑的标称电流仅为2A。 什么参数限制电流？ 如果超过2A、会发生什么情况？

答2：这只是一个例子。 您也可以为更高的负载电流设计电路。 在钳位模式下、FET 中将存在功率损耗=[(Vin-Vout)/负载电流]、因此您需要选择 SOA 足够强大、能够在整个 OV 期间承受功率损耗。

在 OV 截止模式下将不存在此类限制。

3.芯片 数据表中提供的200V 未抑制负载压降测试波形似乎已经在无负载(或极低负载)条件下进行了测试。 这是官方网站上提供的处于 LED 负载状态下的 EVM 板测试结果吗？ 如果我使用 EVM 板连接到大约1A 的负载、测试波形是否仍然通过？

A3：正如我在前面所说的、此处的限制是 FET SOA、输入过压、负载电流和 OV 持续时间。 如果 FET SOA 足够强大、可以根据您的测试条件计算出的功率损耗、您可以测试  任何负载电流。