[参考译文] CSD16415Q5：最小和最大 VDS 规格

你好、Ann：

谢谢咨询。 FET 数据表第1页指定了绝对最大 VDS = 25V。 数据表第3页的"电气特性"表中指定了最低击穿电压 BVDSS = 25V。 没有规定的最小工作电压。 然而、足够高(>0.7V)的负漏源电压将正向偏置 固有体二极管并传导电流。 如果您有任何其他问题、敬请告知。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

您好、John：

感谢您的回复！ 请问您的意思是需要高于-0.7V 吗？ 您能为我们提供具体规格吗？ 谢谢！

此致、

安连

你好、Ann：

每个功率 MOSFET 在漏极和源极之间都有一个固有的体二极管和一个 PN 结。 MOSFET 正是通过这种方式在关断状态下阻断电压。 在源极到漏极之间施加的电压将对二极管进行正向偏置、并且它将传导电流。 请参阅数据表中的图9、其中显示了25″C 时的正向压降与电流以及125°C。

此致、

约翰

您好、John：

这是否意味着最坏情况下的红圈方式、即-0.7V 左右？ 谢谢！

此致、

安连

你好、Ann：

数据表中的图9显示了 MOSFET 体二极管的 V-I 和温度特性。 我不确定你在问什么？ TI 没有为我们的 FET 指定最小 VDS 工作电压。 我们仅规定绝对最大 VDS = 25V、最小 BVDSS = 25V。 当 FET 关断时、在漏极和源极之间施加负电压将对体二极管进行正向偏置、电流将流经它。

谢谢。

约翰

您好、John：

客户只想知道他们何时测试了此 MOSFET、我们如何确定负尖峰是否可以。 因此、我想知道客户能够轻松与波形进行比较以确定是否可以获得尖峰的规范。 您是否为我们准备了此规格？ 谢谢！

此致、

安连

您好、Ann！

请要求客户分享他们的应用详细信息和波形、我们将回顾这些信息。 是否有可能获得带 FET 的那部分原理图？

谢谢。

约翰

您好、Ann！

您是否能够从客户处获得更多信息？ 请告诉我。 我很乐意查看他们的设计和工作波形。

此致、

约翰