您好、先生/女士：
我们被测量为电池的 Iq、当不存在 VBUS 时、Iq 约为20uA。
但当电池电压为8.1V、设置2s 电池、而 VBUS 为9V 时、该 IQ 大约为1mA。
该症状将影响器件在充电一晚后无法满足100% SOC 要求。
您能不能帮助我们了解为什么1mA 放电电流大约是这样？
此外、我还更新了寄存器供您参考。
期待您的反馈。
非常感谢。
Mike、您好：
请在发布时获取。 另外， 您能否看到当您删除 串联电流表时会发生什么情况[/引号]请参阅下图、当问题发生时会加载寄存器参数、以及我们连接的任何电流表、都会得到相同的结果。
这是我的故障、我需要重新描述这个问题、但我忘记了真实的电池电压。
当时我看到了来自400mA 的充电电流、然后逐步降低到0 mA、我们确保它应该处于终止状态。
然后、我们首先拔出 VBUS、从 EVM 上断开电池、串联电流表、然后重新连接 EVM 上的电池。
此时连接电池后、我们看到电池 IQ 约为20uA、并且我们未修改任何寄存器设置。
然后再次插入 VBUST、我们看到 BAT IQ 约为1mA (放电至 BQ25792)、目前我们没有仅进行默认的寄存器设置。
我们需要知道、是否有任何寄存器函数可以降低此1mA？
期待您的反馈。
非常感谢。
Mike 您好：
对不起,我不能很好地解释,但我们的客户告诉我喜欢你的 iphone 充电整晚,但 SOC 是 99%。 您能接受此结果吗？
我认为客户只是想在充电终止时实现低 IQ。
充电终止时、BATFET 应该关闭、对吧？
如果我回答正确、为什么泄漏电流为450uA？
它是来自内部反馈布线还是来自某个补偿电路？
无论是什么、它们都可以接受 max77963规格。
是否有推荐的器件型号可供替换？
期待您的反馈。
非常感谢。
https://www.analogue.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/max77963.pdf
