[参考译文] TPS65988：内部电源路径高内部电阻

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1268656/tps65988-internal-power-path-high-internal-resistance

器件型号：TPS65988

我一直在使用 TPS65988评估板并将内部电源路径配置为用作纯灌电流器件、能够协商高达60W (20V 3A)的灌电流。

将一个 PD USB 器件放置到一个端口中并在 SYSTEM_POWER 输出上放置一个40W (20V 2A)的负载。这将在 VBUS USB PortA 上产生20V 的结果、在 SYSTEM_POWER 输出上产生19.16V 的结果。

840mV 的压降比预期的要大。这意味着该器件的内部电阻为0.84/2A= 420m Ω。

420m Ω 明显大于数据表中建议的33m Ω。

因此、当器件功率下降时、这会严重影响器件的结温。

额外信息：
该器件的压降在25至45度的外壳温度范围内保持恒定。

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2587365 points

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您好、Sam、

您能否发布您的项目配置文件、以便我们进行查看、查看您是否将电流限制设置得过低。

FET 的 RDSON 为33m Ω、但如果在配置中将 PDO 的电流限制设置得过低、则器件可能会进入电流限制范围并导致 RDSON 增大。

我首先要审查您的项目、然后再继续进行调试。

此致、

卡盘

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2587365 points

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你好,谢谢你的答复。您可以看到、它协商到的 PDO 为3A。因此、我认为它没有达到电流限值。

为了完整起见、我已将其余配置附加到附件中：
e2e.ti.com/.../InternalTestProject.zip

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2587365 points

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山姆：

我将能够在今天晚些时候或明天早上回顾这个项目、看看我是否能在配置中看到任何可能导致此问题的东西。

此致、

卡盘

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2587365 points

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感谢您的参与、我期待您的来信。

此致、
萨姆

0 admin 2 年多前

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山姆：

您将外部电源路径用于两条灌电流路径、因此 RDSON 将由外部电源路径设置、而不是数据表中指定的值。

该 EVM 上使用的电路使用第一个 FET (Q4、Q12)作为理想二极管、并在5V 工作期间偏置 FET 勉强导通。这将导致电路的 RDSON 处于较高水平、从而可以解释您遇到的问题。

由于您在灌电流配置中同时使用两个端口、因此可以使用内部电源路径。如图所示、请更改全局系统配置寄存器。

移除 J11上的所有4个跳线、以便将内部电源路径与板载电源隔离、并将外部电源路径与系统电源隔离。

您可以测量 J11的引脚4和8上的电压。这将显示路径上的电压损耗。 RDSON 会稍高一些、因为100mil 接头不是拉电流的理想点、但应远小于100m Ω。

此致、

卡盘

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