有关 UCC28C56EVM-066的问题、(doc bumber sluucn1c)
1.Q1、Q2形成 VDD 的高压启动、但齐纳二极管 D5到 Q2的栅极不能断裂而产生25V 的电压。 D5的电流路径是什么？
2.由于 VDD 的电压超过18V、UCC28C56H-Q1的 VREFV 上电至5V、这会使 Q3进入 Trun、将 Q2的栅极拉至 HV_GND、最终关闭 Q3。
当 AUX 电源正常工作时、HV 启动应停止。 如果 Vref 上电至5V、则在 AUX 电源工作之前、HV 启动被关闭、使 UCC28C56断电、然后上电。
这可能不起作用。
3、查看 这个 EVB 的物料清单、发现有的元件在原理图上找不到。 隔离式反馈的 U2、U3可在 BOM 列表中找到、但 原理图上没有 U2或 U3。
在哪里可以找到完整的原理图？
4.前沿消隐的功能是什么,它如何工作?
您好、Manuel：
1) 在有源启动电路上、 如果我在 Vin 和 Q4集电极之间选择一个较大值的电阻器、那么 除了 Dalintion 晶体管外、我是否可以将 Q4更改为常规晶体管？
2) 使用耗尽模式 MOSFET、请参阅下图、 Q1耗散的最大功率=(Vin_max - ve_q1)* IDD =(1000 - 521)* 1.3mA = 622.7mW。
Maxim 功率耗散 Q2 =(VE_ Q1- ve_Q2)* IDD =(521 - 23)* 1.3mA = 647.4mW。
Q1和 Q2的 I thoutg 功率耗散对于 SOT-23封装而言太大。
3) 为什么电流源设计为1.3mA？ 我认为电流源应该 输出电流 则会导致稳定性问题。
4) 从 UCC28C56H-Q1的数据表(9.2.2.1)到计算 Ton_est、占空比为0.8 (Dvin_min)。 输入电压或输出电压下的 Dvin_min 与什么之间的关系？
5) 在 UCC28C56H-Q1 (9.2.2.4)数据表中、若要计算 Ipri_rms_max、存在 dmax、dmax 与输入/输出电压之间的关系是什么？
尊敬的 Bobo：
1) 为什么 Dvin_min 为0.8？
这是在 DCM 下工作的反激式、因此伏秒平衡公式如下所示：
VIN*D=(输出电压+ Vf)*NPS*D2
其中 D2=1-D-D3和 D3是两个器件都关断的时间。
要计算 D 值、您还需要考虑电容器的电荷平衡。 对于这两个方程、您将得到以下 D 方程：
D=(Vout+Vin*sqrt Vf (2*FS*L/R)
2) 如果输入电压为1500V、则反激式拓扑中的单个 SiC-MOS (1700V 的最大 Vds)在 MOSFET 关断时更易于击穿。
您有什么建议？ 是否有适用于1500Vin 系统的参考设计？
在反激式转换器中、经过 MOSFET 消磁时间(关断)的电压为 Vin+(Vout+MOSFET)* NPS、因此您的 Vf 额定电压需要大于该值(建议至少高出30%)。 请注意、我们还需要考虑钳位电压、与开关周期相比、钳位电压导通的时间很短(请参阅随附)。 对于 EVM、Vinmax=1000 NPS=10 Vf =1V (近似值) NPs=10 (大约)、所以使用1700 MOSFET 就足够了。 FIR Vin=1500、则1700更短。 在市场上很难找到额定电压高于1700的 MOSFET。 为此、您需要堆叠多个 FET、并且需要更复杂的驱动技术。
如果您还有任何其他问题、请让我回复该主题。
