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[参考译文] BQ40Z50：零电压充电和预充电之间的区别

admin
Guru**** 2614265 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1268595/bq40z50-the-difference-between-zero-voltage-charging-and-pre-charging

器件型号：BQ40Z50

我对 零电压充电和预充电之间的区别有一个问题。

如图1所示。 引脚等效图1在 BQ40z50数据表中、 BQ40z50似乎  使用 CHG FET 支持零电压充电。 ，、我想知道 数据表中没有说明的零电压充电工作原理是什么？

如果 BAT 的电压非常低、那么零电压充电中的电流是否受到限制？ 零电压充电和预充电之间的区别是什么？

 我希望收到回复。  非常感谢。

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    TI__Guru**** 2614265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chong：

    当电池非常低时、使用零伏充电、我们从充电器的 PACK 侧向 CHG FET 栅极施加二极管压降、这允许进行小涓流充电、从而使电池不会损坏。 预充电只是正常控制算法中的另一个步骤、可由电量监测计充电算法或充电器预充电设置进行设置。

    此致、

    怀亚特·凯勒

  • 0
    TI__Guru**** 2614265 points
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    尊敬的 Wyatt Keller：

    感谢您的答复。 从您的角度来看，使用零伏充电、同时从充电器提供的 PACK 侧向 CHG FET 栅极施加二极管压降、 CHG MOS 是否进入 饱和区 ？ 如果 CHG MOS 进入饱和区、则从 PACK 充电器到低压电池的充电电流仅取决于 CHG MOS 的 gata-source 电压。 因此、充电电流 可能极小、小于预充电电流。

    通常、是否在预充电？之前对电池执行零电压充电？

    我是否理解正确？ 非常期待您的答复。

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    TI__Guru**** 2614265 points
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    尊敬的 Chong：

    是的、这是正确的、FET 本质上将充当电阻器、因为它将在线性区中允许非常小的充电电流。 零伏充电应小于预充电、是的。

    此致、

    怀亚特·凯勒

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    TI__Guru**** 2614265 points
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    您好,怀亚特·凯勒,

    您的欧姆区是否与下图所示的 MOS 晶体管的不同工作区相同？

    在我看来，如果把 MOS 管用作开关、需要在 正向阻断区(图中标记为①) 和欧姆区(图中标记为③)之间切换 。 欧姆区意味着  MOS 开启、正向阻断区意味着 MOS 关闭。

    另外、这里零电压充电需要 CHG mos 进入有源区(在图中标记为② μ A)、这样从电池组充电器到低压电池的充电电流就只取决于 CHG mos 的栅极-源极电压、 而不考虑 CHG MOS 的漏源电压值。 是否正确？

    期待您的回复！

    此致、

    崇

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    TI__Guru**** 2614265 points
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    尊敬的 Chong：

    该区域可能会根据充电器在 PACK+/PACK-输入上施加的电压而变化。 无论 FET 的工作模式和充电器施加的电压如何、零伏充电的目标都是对 CHG FET 施加非常小的 V (GS)、以便电池组从非常低的电压状态缓慢恢复。

    此致、

    怀亚特·凯勒

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    TI__Guru**** 2614265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,怀亚特·凯勒,

    这对我有很大帮助、感谢您的回答。