[参考译文] LM3478：MOSFET 加热

尊敬的 Saiprakash：

感谢您使用 E2E 论坛。

您能否尝试以更高的分辨率附加原理图。

您的电感器的饱和电流是多少？

您是否还能添加一些示波器图：

-输出电压

-比较器

-切换节点

-门信号

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

美好的一天

感谢您的答复。

请查看随附的示意图、

e2e.ti.com/.../6724.LM3478.pdf

输出电压：

比较器：

在 DR 引脚处：

在 MOSFET 栅极上：

这是 L4和 L5 - ECS-MPIL0603-6R8MC 的原理图中的电感器

目前、L4替换为以下部分- 10uH 和7A

此致、

赛普拉卡什

尊敬的 Saiprakash：

我刚刚检查了您要使用的 MOSFET、它的额定电压为30V。 这接近 运行期间 MOSFET 上将看到的29.5V 峰值电压。

因此 MOSFET 可能已经损坏或丧失性能。

请先将其替换为具有更高 VDS 额定值的放大器、例如40V。

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

感谢您的答复。

会尝试使用其他 MOSFET ,你是否推荐任何部件,

除 MOSFET 外、原理图是否完好？

此致、

赛普拉卡什   

Stefan、您好、

大家好！

R52安装有9m Ω 电阻器。

您认为 CSD18543Q3a 是否是理想的设计 MOSFET？

此致、

Saiprakash.

尊敬的 Saiprakash：

R52安装在 MOSFET 和 GND 的电容器之间、但应位于 MSOFET 和 GND 之间

请在原理图中检查这一点、然后将 LM3478的 ISNS 输入正确连接到正确的节点。

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

"谢谢你,谢谢你。"

我们已订购组件  CSD18543Q3a 将在我们使用新的 MOSFET 进行测试时告知您、并将向您更新 resumt。

此致、

Saiprakash.C.J

Stefan、您好、

大家好！

你过得怎么样。

我的确用新的 MOSFET CSD18543Q3a 测试了电路,但它仍然在升温唯一的区别是这个 MOSFET 持续10-15分钟,因为旧的 MOSFET 将在4-5分钟内关闭。

那么、您认为原因可能是什么。

此致、

Saiprakash.C.J

尊敬的 Sai：

您能否分享您更新后的原理图？

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

原理图相同。除 用(CSD18543Q3a)替换 MOSFET (SIS412DN)并短接 C50电容器外、我未做任何更改。 除此之外、一切都 保持不变。

此致、

Saiprakash.C.J

尊敬的 Sai：

这意味着您的原理图仍然不正常- ISEN 短接至 GND。

请对照数据表中的基准检查您的原理图：

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

我意识到了这一点、这次我在通用 PCB 上制作了整个电路、这次只在更改了二极管(D11)之后才解决了发热问题、从功率二极管的计算结果来看、我得到的是9.8安培。 因此我更换了一个16安培的二极管、解决了发热问题。 但在负载达到1安培后、电压会下降。 我的 Vout 应为12V、但在负载为1A 时会降至10。 电路设计用于3.5A 负载。 原理图来自 webench、我附上了原理图供您参考。 产生压降的任何具体原因。

此致、

Saiprakash.C.J

尊敬的 Sai：

我理解是否正确-您已经为电路制作了标准穿孔 PCB。

这可能会带来非常差的性能、您可能会拾取大量噪声、尤其是在电流传感器中。

因此对于 SMPS、您始终需要适当的布局。

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

您理解的是正确的、将使用布局并让您知道。

此致、

Saiprakash.C.J

尊敬的 Sai：

谢谢、更新。

斯特凡·~

Stefan、您好、

大家好！

只是一个小小的怀疑,

您是否认为此电感器 DRQ127-6R8-R

我将使用二极管  MBRB1645-E3/81、而不是 MBRS540LT3G。

MOSFET - IRFR3806TRPBF

您是否认为以下器件适用于该设计？

此致、  

Saiprakash.C.J

尊敬的 Sai：

就额定值而言、FET 和二极管似乎正常、至于电感器、您为什么使用双线圈电感器？

Br、

哈龙

您好、Wardak：

我只是尝试使用 webench 中建议的器件。

此致、

赛