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[参考译文] BQ24450EVM-691:模拟12V 铅酸电池的充电性能不符合预期

Guru**** 2528390 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24650, BQ24450

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262007/bq24450evm-691-charge-performance-for-simulated-12v-lead-acid-battery-not-as-expected

器件型号:BQ24450EVM-691
主题中讨论的其他器件:BQ24450、BQ24650

大家好、我们正在利用 BQ24450芯片为12V、18AH 铅酸电池设计充电器。 为了测试设计、我们使用配备更新电阻器的评估板、结果性能不符合预期。 当仿真电池电压较低时、电路板不会转变为预充电电流、最大电流约为计算得出的最大电流(1.6A 而不是2A)的80%。

设计参数如下:

输入电压=15V

Vboost=14.1V

Vfloat=13.5V

Vth=10.5V

VBAT 最小值= 10.5V

电流测量值=2A

Itaper= 180mA

Ipre= 180mA

 替换电阻器生成的值如下(EVB 上的电阻器 ID 在括号中):

RC (R8)- 46.4KOhm

RD (R7)- 866K Ω

Ra (R11)- 210KOhm

RB (R12)- 15KOhm

Risns (R2)- 0.125 Ω

Rp (R9)- 162 Ω

我们将 EVB 文档中所示的负载电路与0.125 Ω 电阻器(而不是列出的0.1 Ω)配合使用、因此电压测量值要乘以8而不是10才能得到电流读数。 功率电阻器是相同的- 2个15 Ω 电阻器并联。

有什么想法、我们哪里出了问题?

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    你好  

    我需要在实验室中看看这个、这会花费几天的时间。   

    此外、BQ24450是一款较旧的线性充电器、在该应用中具有高功率耗散、开关转换器可能是更好的选择。

    BQ24650可配置为铅酸电池充电器、请参阅应用手册 SLVA437A

    另请参阅应用手册 SLUA992。

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    谢谢-我期待收到您的回复。 有关预充电问题的一些其他见解-我现在意识到、只有在首次开始充电时电池电压低于阈值时、才会激活预充电。 当升压充电已处于运行状态时、如果仿真电压降至阈值以下、则不会重新进入预充电。 我仍然想解决的问题是、预充电电流是40mA、而 Rt 是针对132 -180mA 计算的(取决于我们是否在计算中包括外部二极管)。

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    你好、Bill、有任何关于这一问题的消息吗? 谢谢!

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    很抱歉耽误了时间--明天会有更新。

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    你好

    我在工作台上工作、看起来不错。  您能在下面几点做一下吗?

    Unknown 说:
    当模拟电池电压较低时、电路板不会转换为预充电电流、最大电流约为计算得出的最大电流的80%(1.6A 而不是2A)。

    最大电流80%-仔细检查 R2电阻器上的电压,应该是250mV。

    预充电电流--应约为40mA。  检查引脚11处的电压应为 Vin - 2V、然后是 187欧姆电阻器上的电池电压。   

    我仍然困扰的问题是预充电电流为40mA,而针对132 -180mA 计算的 Rt (取决于我们是否在计算中包括外部二极管)。

    40mA 应该大约正确、对应187 Ω 电阻器。

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    谢谢 Bill。 我回到电路板、按照您的建议进行了几次测量。

    R2上的电压为205.7mV。 这符合0.125欧姆电阻器和1.65A 电流。 由于这在将 Vin 升高到18V 时不会改变事件、因此肯定还有其他因素限制最大电流-可能是 Q2晶体管?

    关于预充电问题、我忽略了列出在本例中为12欧姆的 R10值。 在中、根据预充电电流数据表中的公式进行计算:

    PRE =(VIN–VPRE–VEXT–VBAT)÷RT

    当 Vin=15.29V、Vbat=10.5V、Vdext=0.74V 且 Vpre=2V 时、对于180mA 的预充电电流、Rt 的计算结果为11.4欧姆。 我们使用了12欧姆、因此预期电流为171mA。 实际电流根据 I 菜单进行调节、40mA 不受 Vin 变化的影响

    I 测量到引脚11上的电压-它是10.37V、远低于预期的 Vin - 2。 以确保在引脚5 (Vin)上测量到电压、值为15.27V

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    上面的附加信息-我再次查看了组件数据表、发现 Ipre 的最大值为40mA。 由于我们的应用中的电阻器(Rt)是针对高得多的 Ipre 计算得出的、因此我们看到的预充电电流是否由芯片设置的限制而不是由 Rt 电阻器控制? 如果是这样的话、使用这个电阻器会损坏芯片吗?

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    因美国度假而不在办公室、并将于周二回复。  

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    您好,Noam

    我们一直在实验室中使用 EVM。

    PRE-CHG 的电流限制在约40mA ,在该点单位进入电流调节.  Rt 电阻器可用于减小低于该点的电流。  您看到的行为是预期行为、并且芯片未损坏。

    充电电流--应为2A,但限于1.65 A。  怀疑这受到晶体管的限制、并将在明天进行详细了解。

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    您好,Noam

    充电电流--晶体管增益将输出电流限制在1.6A。  有可能更改配置(如要增大输出电流、使用更高增益的器件或可能使用 MOSFET)。

    你有任何偏好吗?

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    您好,Noam

    我已经做了一些检查、认为 MJD127G、功率达林顿晶体管是一个可能的选项。  更高的输出电流需要更高的增益。  

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    非常感谢 Bill、我们将使用增益更高的晶体管。 功率达林顿管将过多、但我们找到了一个合适的替代方案。 我们的两个问题现已解决-再次感谢您的帮助。

    Noam