[参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

Vijay、您好！

感谢您关注 TI FET。 数据表中的最大功率耗散的计算方法如下面链接中的博客所示。 它假设外壳可被保持在25°C、这将需要一个理想的散热器。 实际上、根据热设计(即使用有气流的散热器)和环境条件、实际功率耗散会更低。 下面的第二个链接说明了 TI 如何测试 MOSFET 封装的热阻抗和规格。 数据表中 Rθjc 的热阻值可用于估算从环境(使用 Rθja Ω)或从外壳(使用 Ω)的结温升高。 在没有散热器的自然通风条件下使用 Rθja μ A、最大功率耗散计算如下：

Pdmax =(Tjmax - Ta)/ Rθja Δ t =(175°C、- 25°C)/ 62.5°C = 2.4W

请注意、在较高的环境温度下、功率耗散能力会降低、您应该将工作结温从额定最高值降低、以实现可靠性、这会进一步降低该能力。 TO-220封装可 Rθja 散热器和气流来降低 Δ T 的有效值、从而提高功率耗散能力。 这在很大程度上取决于散热器设计和气流。

您可以使用数据表图8中的标准化导通电阻来估算结温升高时的 RDS (ON)。 此外、您应该在最坏情况下的计算中使用 RDS (on)的最大值。 由于这只是一种开/关控制、因此应以至少10V 的电压驱动 FET 的栅极、以获得最低的导通电阻。 您可能需要并联多个 FET 以降低单个器件中的整体功率损耗和温升。 我们在同一封装中提供了更低的导通电阻 FET CSD18510KCS。 如果您有任何其他问题、敬请告知。

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-3

http://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/10/understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用