请参阅 QEM-CCR-2308-00363、我们已 了解 EIPD 故障、请支持 LDO 裸片内部布局和功能块进行进一步调查、尤其是对于 EIPD 领域、我们尝试了解故障机制并努力说服客户。 正在等待您的提示支持。
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请参阅 QEM-CCR-2308-00363、我们已 了解 EIPD 故障、请支持 LDO 裸片内部布局和功能块进行进一步调查、尤其是对于 EIPD 领域、我们尝试了解故障机制并努力说服客户。 正在等待您的提示支持。
尊敬的 Stanley:
感谢您在此提供背景信息。 关于 QEM-CCR-2308-00363、FA 操作已结束、总结如下:
"根据 www.jedec.org 上提供的 JEDEC 文档 JEP155,500V 的 ESD-HBM (静电放电-人体放电模型)级别意味着"基本 ESD 控制方法允许以成熟的裕度安全生产。" 根据 JEDEC 文档 JEP157 (可在 www.jedec.org 上获得)、一个250V 的 ESD-CDM (静电放电-带电器件模型)级别意味着"带金属机器部件接地和隔离器控制的基本 ESD 控制方法"可实现安全生产。 根据行业标准文档中的上述标准、发生故障引脚的 ESD 资质等级以及 ESD 控制的已知行业制造能力、判定元件级 ESD 不是可能的根本原因。
根据从故障分析获得的证据、电气过载(EOS)是导致电感式物理损坏(EIPD)的最可能原因。 TI 已确认在该 TI 器件最后一次测试插入结束时进行漏电测试、因此认为 TI 发生的 EOS 损坏不太可能发生。
此外、根据这个问题的特点、制造不合格的情况被认为是不太可能的。
因此、客户报告的问题可能是由应用环境中的 EOS 引起的、TI 建议客户评估应用环境中是否存在瞬态或稳态电气过载源。 为了确定 EOS 的具体原因、需要对客户的电路板环境和客户的测试环境进行详细的分析和测量。"
除了这些分析之外、您还需要为客户具体查找哪些类型的故障分析和信息? 对于应用分析和问题、我可以将此咨询转发给我们的应用团队。
感谢您的任何说明、
大卫·皮尔庞特
尊敬的 Stanley:
以下是根据 TI 在应用相关 EOS 损坏方面的经验为客户提供的最终建议列表。
遗憾的是、由于这是一个独特的故障、因此更难追查到一个共同的原因。 我们将监控该器件、以在将来是否收到该客户的退货。
应用参数
测试流程
测试设备
装配流程
系统设计
谢谢。
大卫·皮尔庞特