您好：
客户反馈"BQ76952PFBR 3~16灯串 TQFP-48 TQFP-48封装 TI"发现研发测试过程中出现异常、详情如下：
1.当 BQ76952用作具有相同端口方案设计 BMS 的高侧驱动器时、发生保护时、当充电 MOS 和放电 MOS 均断开时、如果此时执行充电操作、 电压将沿放电端口引脚进入 BQ76952的 DSG 管。
经过测量、当 DSG 引脚的电压高于68V 时、引脚 VBAT 此时开始升高、CP1引脚也同时上升。 由于这种保护机制、VBAT 内部连接到充电引脚 CHG、从而使 CHG 也升高。 当 DSG 引脚电压继续升高时、例如75V (相对于 B-)、VBAT 同步 CHG 将增加到3V (相对于 B+)、此时 CP1和 VBAT 之间的电压将达到约20V。 此时由于 CHG 达到3V 高电平(与 B+相比)、充电 MOS 将处于线性区域、当充电器接通电流时、很可能会损坏！
2.为进一步查明问题原因,分别向 BQ76952的 DSG 引脚施加电压,检查 CHG 引脚的电压; 具体而言,将一个10K 电阻串联到 DSG 引脚并施加电压,当外部施加电压达到69V 时,VBAT 和 CHG 同步出现明显的抖动电压,然后增加 DSG 的施加电压。 然后 VBAT 和 CHG 引脚电压将同步增大,同时 VBAT 和 CP1之间的电压可以增大到20V ,这一测试基本上可以模拟上述问题,当 DSG 电压升高时,会使 VBAT 同步升高。 进而导致 CHG 同步上升、导致电荷 MOS 在进入线性区域后受损！
图1：在对 DSG 施加特定的电压(相对于 B-)后、VBAT 和 CHG 同时出现如此升高的电压(相对于 B+电压)、可施加到充电 MOS 的 GS 端子。 存在充电电流时、会导致充电 MOS 损坏。
图2：在对 DSG 施加更大的电压后、VBAT 和 CHG 同时出现如此高的电压(相对于 B+电压)、可以施加到充电 MOS 的 GS 端子、有充电电流时会损坏充电 MOS
3、在 TI 论坛上搜索发现有些开发者遇到了相似甚至相同的问题、但是相应的解决方案或方法后来没有在论坛上提供；
此帖子的具体 URL 是：
BQ76952：CP1过压问题-电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛
4、关于这个问题,我想澄清的是:
(1)当 BMS 受保护且充电和放电 MOS 关断时、对充电端口施加一段电压后、电压进入 DSG 管脚后、它如何引起 VBAT 管脚电压发生变化、 哪一个会导致 CHG 引脚的电压发生变化？ 在此过程中、CP1电荷泵的作用机制是什么？
(2)如果是同一个端口、是否有有效方法来消除 DSG 引脚电压引起的 CHG 引脚电压、以消除充电 MOS 损坏的风险？
