您好！
我有一个配备了 TPS26602的电路板、如图所示进行连接(未安装 R134、C113和 R148、因此该器件配置为具有自动重试功能的断路器)。
我注意到了数据表与短路期间的实际行为之间的差异。
通过阅读数据表、我了解到在初始快速短路保护之后、该器件应该必须关闭 MOSFET 并在大约4ms 内发出电路哔哔声、然后在540ms 后重试再打开 MOSFET。
我测量的导通时间约为4ms、而关断时间仅为1ms (请参阅下面的屏幕截图、探测短路期间的输出电流)。
这样、器件会变得很热、最终进入热关断。
有什么问题吗？
此致、
马可
尊敬的 Kunal：
我将 OVP 直接连接到 GND、将 UVLO 直接连接到 IN、但行为是相同的。
我在 Vout 到地手动短路。
在请求的屏幕截图下方(CH1 = Vin、CH2 = Vout、CH3 = SHDN、CH4 = Iin)。
感谢任何帮助。
此致
马可
尊敬的 Kunal：
我无法放大1V/div、因为我有24V 输入电源并且它会使示波器通道饱和
在下面您可以找到根据请求引用 RTN 的新屏幕截图(其他截图则引用 GND)、但行为是相同的。
此致、
马可
尊敬的 Marco：
您无法探测 VIN 是否导致了问题。 我有兴趣看到 VOUT 上的任何纹波变为负值。 我看到 VOUT 确实去了-ve：
是否有一些配置可将电容放置在靠近 VOUT 引脚或肖特基二极管的位置？
此致
G·库纳尔
尊敬的 Kunal：
我已经在 Vout 到 GND 之间放置了一个10uF 电容器和一个11DQ06肖特基二极管。
电压波形现在更平滑、并被钳位到二极管电压、但系统行为是相同的：4ms 开启、1ms 关闭。
是否有可能在使用相同配置和值的 TI 评估板上进行尝试？
这太奇怪了...
此致、
马可
