[参考译文] CSD19535KTT：所需特性：典型开关能量损耗与漏极-源极电流的关系

您好，Saminathan：

感谢您关注 TI FET。 TI 不对任何 MOSFET 产品的开关能量损耗进行描述。 更常见的此类信息可在 IGBT 数据表中找到。 我们可以估算开关损耗、但它们在很大程度上取决于应用和外部栅极驱动电路。 您能否分享更多有关您的申请的信息、我将尽力为您提供帮助。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

您好、John：

感谢您的快速响应。 我需要在 PLECS 软件中设计热建模。 在该软件中、仅根据这些特性计算导通和关断开关损耗。

这就是我需要此特性的原因。  

注意：像 STM 这样的其他制造商在他们的数据表中提供了这个特性。 即 STP80N600K6

尊敬的 Saminathan：

正如我在之前的回复中所述、数据表中不收集也不提供该数据。 因此、我没有要共享的数据。 我想看看是否可以计算导通和关断能量、但我需要详细了解您的应用。 施加在 FET 漏极的电源电压是多少、FET 和驱动器之间的栅极电阻是多少？ 此外、电流范围是多少？我应该假设电感是多少？

此致、

约翰