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[参考译文] LM51581-Q1:LM51581-Q1 IQ 过高

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: LM51581

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1267094/lm51581-q1-lm51581-q1-iq-is-too-high

器件型号:LM51581-Q1
主题中讨论的其他器件:LM51581

我重新制作了 PCB、但问题仍然存在,当输入电压为12V,输入电流为62mA,它仍然非常高。SW 节点波低于,fs=2.2M。

它看起来像是  负载较轻时不输入脉冲跳跃模式。 因此出现了问题,

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    我收集波形的 时间较长、但仍未发现任何缺少的脉冲

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    作为比较、我还附上了正在进入模式的 TPS62932DRL 的图像。 在轻负载条件下、SW 的波形在很长一段时间内仅出现一次。

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    两个 SW 波之间的间隔时间超过5ms

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    您好、Wenhe、

    当下一个开关周期开始时、如果输出电压仍然为高电平、则会开始脉冲跳跃。
    只要输出端消耗的能量比最小占空比启用能量时消耗的能量更多、就不需要脉冲跳跃。
    输出端的负载为:负载、通过反馈电阻分压器的电流、输出电容泄漏。

    因此、只要输出不漂移超过设定的目标电平、控制器就会持续使 MOSFET 产生脉冲。
    因此、反馈分压器消耗的能量、输出电容器的泄漏电流以及连接的负载如果较大、则能量会移至输出并移动一个脉冲。 其中2.2 MHz 的最短导通时间为80ns。

    此致、

     斯特凡

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    我知道您的意思、但现在我并不认为电容器的泄漏电流过大、无法进入脉冲 skipping.becuese、它低于1mA 或更低。 请告诉我电流比进入 脉冲跳跃的时间小多少

    太多了!

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    顺便说一下、LM51581有点热、这在无负载的情况下是不正常的

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    我发现 SW 节点非常敏感。 当我使用 X10探针进行观察时、输入电流将增加3mA。 当我使用 X1时,输入电流将增加26mA

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    你有什么想法吗?

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    您好、Wenhe、

    LM51581不会变热、但由于它仍在切换、因此会消耗驱动 MSOFET 的功率。

    在 LM51581的情况下、轻载和满载之间的功耗没有区别(只要没有跳跃模式)。 它需要驱动 MOSFET、此负载由开关频率和 MSOFET 的栅极电容决定。

    如果仅功耗是最高标准-则可能需要降低开关频率。

    SW 节点上的探头将消耗~μ A 5.5mA 和8pF 探头。 只需进行数学计算。

    此致、

     斯特凡

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    您好,S·S·,

    这让我感到困惑、当没有负载或负载非常轻时、它应进入 脉冲 跳跃模式、仅在负载重时才进入 PWM 模式。

    在本例中、LM51581以轻负载进入 PWM 模式、因此异常

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    您好、Wenhe、

    如果使用最短脉冲、器件支持(~ 80ns @ 2.2 MHz)更多的能量从输入传输到输出、因为输出侧 在下一个脉冲之前消耗。 输出电压将增加到超过设定的目标值。

    如果发生这种情况、将启用脉冲跳跃模式。

    因此、如果泄漏和负载能够消耗这一量的能量、器件将保持正常模式。

    只是一个粗略的数学计算:

    12V *80ns *1/2 *1/100uH = II = 4.8mA  

    II * 12V /50V = Io = 1.15mA

    因此、如果输出消耗大于1.15mA、器件将不会进入跳跃模式。

    (注意:~ 10%已被 FB 分压器消耗)

    此致、

     斯特凡