This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC28064A:与 UCC28064A 配合使用的 MOSFET 外部栅极驱动器与内部栅极驱动器

Guru**** 1101410 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28064A, TIDA-010015
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1267752/ucc28064a-external-vs-internal-gate-driver-for-mosfets-used-with-ucc28064a

器件型号:UCC28064A
主题中讨论的其他器件: TIDA-010015

我要看的是 TIDA-010015 采用 UCC28064A 的参考设计。 在此设计中、两个外部栅极驱动 IC 用于驱动交错升压转换器中的两个 MOSFET。 与直接通过 UCC28064A 上的 GDA 和 GDB 引脚驱动 MOSFET 相比、为什么需要这些外部栅极驱动器?  

查看 UCC28064A 数据表、可以发现 GDA 和 GDB 电压为12.4V 典型值(10.7V 至15V 范围)。 使用的 MOSFET 为 IPA60R120P7XKSA1。 它们可接受的 Vgs 为+-20V、Vgs 阈值典型值为3.5V (3-5V 范围)。 这是否意味着 MOSFET 可直接从 GDA 和 GDB 驱动?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、D R:

    我必须咨询我们的产品设计服务团队、但看看 FET、他们可能选择了一个更强大的栅极驱动器、因为英飞凌 FET 的栅极电荷更高。 这些显示的是典型的36nC、而该 EVM 上使用的 FET 的最大值为18nC、此处不使用外部栅极驱动器。

    我希望这可以回答您的问题。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、D R:

    感谢您对 UCC28064A 栅极驱动功能的查询。  

    在一些并联驱动极大 MOSFET 或多个 MOSFET 的高功率设计中、UCC28064A GDX 输出的驱动能力可能不足以以合理的速度处理总栅极电荷。 在这种情况下、必须使用具有更高驱动功率的外部栅极驱动 IC。  

    就 TIDA-010015而言、PFC 功率级别相对较低、MOSFET 相对较小、栅极电荷较低、因此我认为 UCC28064A 可以按照您的建议轻松直接驱动这些 MOSFET。  在我看来、外部栅极驱动器(尽管本身是好器件) 对设计没有太大好处、可以将其删除(及其输入 R-C 滤波器和 VDD 电容器)。
    TIDA 设计人员可能已经将它们包含在内 、以减少关断损耗、前提是他认为4A 峰值  驱动器会在~9ns 内释放 MOSFET 的36nC 栅极电荷、而控制器驱动器会提供~24ns。  不过、这些 MOSFET 的 Coss 导致的关断延迟通常超过此 时间、因此更快的栅极放电几乎没有效果。  

    此致、
    乌尔里希