[参考译文] LM5146-Q1：为何将不同的 MOSFET 用于低侧和高侧导通同步降压转换器

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器件型号：LM5146-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5146

您好！

我正在设计75-40V (avg48V)至36-5V (可调数字电位) 8A 负载的降压转换器

我想对高侧和低侧使用两个 gan3r2-100cbe。

但让我感到困惑的是、我在每个电动汽车电路板设计中都看到了以下内容(也称为 webench)：

较低的 RDS 和较高的 Qg 可用于高侧

以及针对低侧的较高 RDS 和较低 Qg。

我试图找到为什么,没有成功。我看到的唯一原因是设计更便宜。

可能它也与 Ton Toff 序列有关。

您能解释一下吗？

基本问题：高侧和低侧可以使用相同的 MOSFET 吗？

我应该关心 Ton Toff、还是控制器本身？

由于散热要求、我的主要目标是实现效率最高的设计。

我看到我拥有的最低 Qg 和 RDS 越好、就是效率。

STAS

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2548280 points

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Stas、您好！

Qgtotal 越高、RDS 越低。规格之间存在反比关系。其原理与您并联两个 MOSFET 时相同、通过 RDS on、Qgtotal 将减半。

有关要选择什么的问题、例如、如果 VIN 是 VOUT 的2倍、D = 0.5、则应选择相同的 RDS ON。这是因为 HS 和 LS MOSFET 导通的时间相同。选择具有最低栅极电荷的最低 FET 通常将产生最低的损耗和最高的效率。

对于更高的降压比率、与低侧 MOSFET 相比、您可以为 HS MOSET 按比例选择更高的 RDS、从而折衷针对 Qg 的 RDS。

请参阅一份应用手册、其中详细介绍了降压转换器的 MOSFET 选择。

https://www.ti.com/lit/an/slyt664/slyt664.pdf?ts = 1693837119158&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

希望这对您有所帮助。

大卫

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2548280 points

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非常感谢您的回答。

我的应用中将有微调输出电压输入：50V OUT：36-5V 10A。

我的占空比可以从0.1

重要提示：我还发现、LM5146对 GaN 晶体管不起作用、因为它们通常具有 VG max=6-7V、但 LM5146是7.5V 输出驱动。

因此、我放弃了 GaN (即使它们具有最佳的 Qg 和 RDS)。

现在、MOSFET 可获得最佳效率/功率损耗： ISC0805NLSATMA1 RDS=7.8m Ω、Qgd=4.7nC

我会将这些 MOSFET 置于高侧和低侧、这似乎是我在市场上基于 RDS/Q 折衷方案找到的最佳解决方案

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2548280 points

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尊敬的 Stas：

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此致、

亨利

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