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[参考译文] LM5066I：通过负载启动时无输出

admin
Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5066I
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1332291/lm5066i-no-output-when-startup-with-load

器件型号：LM5066I

您好、TI！

我有一个采用 LM5066I 的设计、可保护向用户提供的电源输出。 它在16A 最大值时为+48V。 我最初将其设计为在空载的情况下启动、由数字信号控制的使能(EN)(请参阅 LM5066I_original Excel 计算器)、工作正常。 但是、当我在启用电子保险丝之前以16A 的电流预加载用户终端时、用户终端上不会有+48V 的电压。 我认为 MOSFET 功率达到了我设置为159W 的功率限制阈值。

使用 Excel 计算器(请参阅 LM5066I_NEW Excel 计算器)、我将功率限制增加到200W、启动负载增加到7A。 我在更改 MOSFET 时没有太大的灵活性、因为我已经制造了我的电路板。 在这些条件下、"建议的压摆率"字段为"nA"、但我仍然可以将 Vout 上的 dVdT 速率设置为0.02V/ms、以便为 MOSFET 获得良好的 SOA 裕度。 这是有效的吗？ 启动浪涌电流电平远低于负载电流、因此使用 SS 模式似乎毫无用处。 由于 MOSFET SOA、切换到功率限制模式也是一个选项。 还有什么其他办法可以让设计正常工作、还是只能更改 MOSFET？ 请提供建议。

我还对计算器中的启动：FET 功率图感到困惑。 如果 I STARTUP 的 Vinmax=51.36V 且 Iload =7A、则最大功率 为359.52W、但 图中显示86W。 您能否解释一下它是如何计算 MOSFET 功率的？

谢谢

e2e.ti.com/.../LM5066i_5F00_original.xlsm

e2e.ti.com/.../LM5066i_5F00_new.xlsm

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    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的联系。 我们将在星期四之前与您联系。  

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    您好、我可以获得有关该问题的答复吗？

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    TI__Guru**** 2387080 points
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    很抱歉耽误你的时间。  

    根据设计计算器、负载导通阈值为39V。

    如果此数据正确、设计应在负载开启阈值为39V 时以7A 恒流负载上电。 请勿将功率限制增加至200W。 功率限制应与之前一样保持在159W。 在上电至功率限制为200W 的短路和短路期间、MOSFET 将没有足够的 SOA 裕度。 如果启动负载为7A 且负载匝数阈值为0V、则该设计将无法正常工作。  

    施加7A 负载时的 VDS = 51.36-39 = 12.36V

    峰值功率损耗= 12.36 * 7 = 86.52W。  

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    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    导通阈值与我使用电阻分压器设置的 UVLO 相同。 我假设负载始终连接在用户端子、并会 在电子保险丝超过其 UVLO 阈值时立即处于活动状态。

    功率限值为159W 时,应在启动时将用户负载限制为>159W ,对吗? 换句话说、我无法以16A 的电流启动、因为使用此电流时、启动时的 MOSFET 功耗将~157W、非常接近功率限制。

    压摆率是多少？ 由于建议的压摆率为"nA"、我能否使用0.02V/ms 压摆率

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    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    请查看下图。 UVLO 阈值对应于 VIN、负载开启阈值对应于 VOUT。 两者也不相同。

    功率限制的含义是 MOSFET VDS x IDS、而非 VIN x IIN。

    请 参阅 以下应用手册、其中介绍了热插拔设计过程。  

    可靠的热插拔设计(修订版 A)(TI.com)

    在这种情况下、降低压摆率没有帮助。 如果建议的压摆率显示"NA"、则所选 MOSFET 无法处理启动期间产生的功率损耗。 这可能会导致 MOSFET 损坏。  

    请使用 PG 信号开启下游负载。 否则、您的 MOSFET 无法满足您的要求。