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尊敬的团队:
我们在新设计中使用 LM74670、但 MOS 会损坏。 (Q10或 Q18)
请查看原理图和波形、并指导我们如何解决该问题。 谢谢!
交流输入:16-24VAC
MOS: MTE050N10KRV8
1.第一个问题是 MOS 被烧了。 实际上、电流峰值没有那么大。 我想知道什么其他原因可能导致宇宙异常。
2. 第二个问题是电流的反向是否是个问题,因为 EVM 板也看到过,可能是正常的,对吗?
非常感谢。
吉米
尊敬的 Jimmy:
MTE050N10KRV8是一个额定电 压为100V 的 FET、因此、对于16-24Vac 交流输入、应不会由于在其漏极-源极上施加过压而发生任何故障。 FET 的 Vgs 额定值也足够高。
只要 FET 的电压变得非常低而得到增强、反向电流就不会成为问题。
我能想到的唯一概率是超出 FET SOA 范围。 可以测量施加到 FET 的栅源电压并共享波形捕获。
您好、GD、
我们感谢您的大力支持。 请参阅以下内容:
已经测量过该波形、跟随 Vgs 关闭、然后电流返回到0、请确认这是否为正常现象(图2)?
非常感谢。
吉米
尊敬的 Jimmy:
让我回顾一下并在明天与您联系。
您好、GD、
感谢您的大力支持。
我添加了一些新的波形供您参考。
这是测得的 MOS Vgs 和电流的波形。 可以看出在关断 MOS 之前电流会反向一段时间、如下所示:
非常感谢。
吉米
您好、Jimmy、感谢分享其它波形。 让我来检查一下、然后给您回复。
您好、GD、
谢谢! 如果您对此有任何建议、请告诉我。
尊敬的 Jimmy:
在 FET 关断之前、流经 FET 的电流应在短时间内反向。 这不是问题,因为 FET 完全打开,它将允许双向电流没有任何问题.
在下面的波形中、我可以看到 Vgs 信号偶尔下降到负值、这是意料之外的。 CH4测量中是否增加了任何偏移?
FET Vgs 预计如下所示、
您好、GD、
感谢您的快速支持。
根据数据表、为电荷泵电容器充电时 Vgs 为负。
我展示的波形是以下几点所对应的时间。
(来自 tidt194)
非常感谢。
吉米
尊敬的 Jimmy:
波形看起来很好、我认为 FET 没有损坏的任何原因。
如果您知道 FET 损坏的确切测试条件、找出根本原因可能会有所帮助。 是可重复条件吗? 您是否具有 FET 发生故障时的波形捕获?