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[参考译文] TLV1117:热计算

Guru**** 1641220 points
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1265894/tlv1117-thermal-calculations

器件型号:TLV1117

数据表提供了热指标、但没有关于如何将它们用于此特定器件的指导。 它参考了主要与测量相关的 TI 半导体和 IC 封装热指标。 尽管我知道如何进行热计算、但我在这方面需要一些有用的指导。

如何确定我的设计是否可行? 我知道热性能取决于 PCB、但我看到的是具有2S2P 层的4层设计、其中有许多连接器件周围各层的小过孔。 假设 PCB 采用标准2S2P 设置。

在我的应用中、输入电压为8.8V、输出为3.3V。负载电流为200 mA。 在环境温度为85摄氏度的情况下、此器件是否能够正常工作。 C? 如果不是、最高温度是多少?

欢迎提出任何建议。

什么

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嘿、嘿、  

    是的、散热问题看起来可能是一个复杂的主题、但在这里、我将尝试简化它、并在您需要查看时提供一些额外的资源。

    最大功耗(Pd)将取决于环境温度(Ta)及其 PCB 布局的热耗散(Rja)、使得 LDO 结温(Tj)保持在额定工作结 温(对于 TLV1117而言为125C)范围内。 用于计算 最大功率耗散的公式为  :Pd =(Tj-Ta)/Rja、对于初始计算、可以假设 Rja 与数据表中列出的 JEDEC 高 K 热耗散(2S2P)相同(取决于封装)。  

    计算出封装的最大功率耗散后、可以将其与应用中预期消耗的最大功率进行比较。  

    其他有用资源

    我们的 LDO 基础知识 电子书简要介绍了热耗散(第8-10页)

    我们还 θja 了应用手册、其中说明了热耗散(RJA)如何受电路板布局的影响、并表明使用优化的 PCB 布局、我们数据表中列出的 Δ C 可以降低35%-55%。https://www.ti.com/lit/an/slvae85/slvae85.pdf

     我希望这对您有所帮助、如果您有任何其他问题、请告诉我。  

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    谢谢、Kyle -查看 TLV1117数据表、特别是 SOT-223版本(DCY 封装)、是否是使用104.3 C/W 的正确 RJA? "注释3"似乎表明了这一点、但我只是确定。

    假设 Rja 为104.3 C/W、T = 125C、Ta = 85C、最大功耗为0.383W。如果我改为 KVU 封装、则 Pdmax = 0.786W。我这样做对吗?

    再次感谢!

    什么

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    嘿、行、是的、您的计算是正确的。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    再次感谢!