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[参考译文] TPS51116-DRVH 和 EP 引脚之间短路

Guru**** 2389790 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51116
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1263304/tps51116-ep-short-between-drvh-and-ll-pins

器件型号:EP
主题中讨论的其他器件:TPS51116

我看到在 DRVH 和 LL 引脚之间使用 TPS51116控制器的电路板发生短路。

是 预期结果吗?

我认为高侧驱动器此时会具有高阻抗测量、但我有多个单元显示 DRVH 和 LL 之间的简短测量。

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    Timothy、您好!

    数据表中的以下行似乎表明 DRVH 和 LL 之间的内部电阻仅为0.9欧姆。 作为参考、您如何测量相关短路?

    所有 IC 是否都显示了这种简短测量结果、还是仅展示少数几种库存?

    此致、

    詹姆斯

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    该器件未通电、我将使用万用表测量引脚之间的阻抗。

    我假设高侧驱动器有某种耗尽模式 FET、因为输出级上没有栅极电压并存在短路。

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    Timothy、您好!

    编辑:LL 电流检测在控制环路中单独处理、看起来与 DRVH 阻抗没有直接连接、 但我不认为您测量的短路表明 IC 存在问题、除非其他芯片显示测量结果大不相同且 IC 性能超出规格。

    此外、根据该应用图中的 MOSFET 符号、预期的 FET 看起来像是增强模式。

    此致、

    詹姆斯

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    James:

    我指的是 下方框图摘录中所示的内部栅极驱动电路(并非您提到的外部 FET)。

    我假设高侧 FET 驱动电路具有耗尽型 FET 来保持外部高侧降压 FET 的栅源电压、这就是我测量这两个引脚之间短路的原因。

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    Timothy、您好!

    我没有有关驱动器内部的详细信息、因此无法确认是否使用了耗尽模式 FET。

    我继续在我们的 EVM (未供电)上检查这个、我的读数是引脚 DRVH 和 LL 引脚之间的~0.856欧姆。

    此致、

    詹姆斯