[参考译文] LM5067：正常运行期间热插拔控制器损坏

尊敬的 Jaison：

感谢您的联系！

您在哪种测试条件下观察故障？ 您能否分享测试波形以了解问题

为什么在45A 设计中使用背对背 FET。 我认为 Q1在稳态下没有获得足够的驱动。 您能否检查它的栅极电压。  

您是否也看到 LM5067或 FET 的损坏？

此致、

勒凯什

您好、Rakesh、

感谢您的跟进。

在向输入端施加48V 电压时、在正常测试条件下观察到故障。 将捕获并共享更换损坏的器件后的波形。

背对背 FET 用于反极性保护(串联二极管用于低功耗设计)。

在以源极为基准的12至13V 左右观察到栅极电压、

此致、

Jaison

尊敬的 Jaison：

非常感谢您的详细信息。 我们将等待测试结果。 还要检查 LM5067或 FET 是否出现损坏 ？

此致、

勒凯什

您好、Rakesh、

不会损坏 FET。 只有 LM5067会受损(SENSE 和 OUT 引脚之间的阻抗短路或非常低)。

请提供您对设计的反馈、因为进一步的测试结果将需要一些时间、因为我们正在等待 LM5067的新库存以更换损坏的器件。

谢谢。

Jaison

尊敬的 Jaison：

请填写设计计算器并与我们分享以便审查设计。  

https://www.ti.com/tool/LM5067QUICK-CALC 

您好！

请找到设计计算器表。

e2e.ti.com/.../LM5067_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_E_5F00_48V_5F00_40A_5F00_IXTH240N15X4_5F00_300uF_5F00_60vMax.xlsx

谢谢

您好！

请注意、FET 未损坏、只有 LM5067损坏。

PFB 用于 FET 的散热器的热性能。 系统中的气流速度约为600英尺/分钟。

尊敬的 Jaison：

SENSE 到 OUT 相当于 MOSFET 的源漏。 更换控制器后、电路板是否工作正常？  您是否知道器件损坏的确切测试条件？ 如 Rakesh 所建议、请在器件损坏时分享实验波形。

尊敬的 Avishek：

从电路板上移除器件并检查其损坏/短路情况。 发现 FET 正常、发现 LM5067短路。

请求您审查设计、直到我们可以在更换阻尼器件的情况下重现问题。

尊敬的 Jaison：

我不确定承载满负载电流时的最高稳态 MOSFET 结温。 否则、设计看起来不错。  

您好！

在更换损坏的 LM5067后、我们可以观察到更多情况。

-两个背对背连接的 MOSFET 确实造成了一些问题,虽然这种情况已由我们的一位设计师在设计期间在这个论坛上确认(https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1201886/lm5067-reverse-polarity-protection?keyMatch=LM5067)。 在 向电路施加输入48V 时、LM5067会损坏。 损坏的不是栅极引脚、而是 SENSE 和 OUT 引脚短路且 FET 保持正常。

-更换了 LM5067、删除了一个 FET 和在栅极引脚处提供的额外电容。 这种情况下工作正常(只有在移除栅极引脚上的额外电容器后才会稳定)。

我们无法捕获快速发生的故障案例的任何波形。

此致。

+注释捕获是在工作状态下(也注意,二极管 D24、D25被删除,并且 R115在工作状态下被替换为0欧姆),

我们将进行分析、并在明天回复您。  

请对此进行更新。