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[参考译文] BQ40Z80:DSG FET 烧毁

Guru**** 1810550 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z80, BQ40Z60
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1263152/bq40z80-dsg-fet-burning-up

器件型号:BQ40Z80
主题中讨论的其他器件: BQ40Z60

您好!

我目前正在使用 BQ40z80设计 BMS。 OCD 设为5A。 我正在使用电源代替电池组和可编程负载。

一切正常、正常工作、跳闸、预期电流略高于5A。

将负载电流增加到10A 或更高会导致 DSG 输出按预期从27Vdc 转换到0V、但无论输入电压如何、都将返回。

BMS 将不再控制 DSG 输出。

我已附上原理图、看看我是否犯了设计错误。

到目前为止、我已根据不同的结果将 R10降至4.7K 和2.2k。 DSG 将变为20Vdc 并持续几个周期、然后出现故障。

我已将放电 FET 计数从4更改为2、没有任何变化。

感谢任何帮助

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    您好 Alex:

    您是否具有导致故障的测试中的示波器捕获? 在 DSG 引脚不再驱动为高电平或低电平后、您是否仍能够与电量监测计通信?

    通常、对于多个并联 FET、会有一个电阻器到达每个栅极、以防止节点上出现可导致损坏的振铃、您是否能够将这些电阻器添加到设计中? 我还建议将多个并联 FET 的 PBI 电容增加到10uF、因为它们增加了栅极电阻、监测计需要大量的电流才能打开。

    此致、

    怀亚特·凯勒

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    尊敬的 Wyatt:

    您对多个 FET 的评论帮助我找到了正确的方向。 以下是我到目前为止所做的工作:

    •我将设计减少到一对 FET 以测试该问题。

    •我将 R9更改为1k、将 R10更改为4.7k、以便更贴近评估模块。

    •我将 C5、即电池组输入电容、从100nF 更改为10nF、以便与评估模块匹配。 我看到了一篇关于 BQ40z60的论坛文章、其中建议更改此电容以帮助解决此问题。 我不确定它是否有用、但价值是错误的。

    我已经通过一对 FET 完成了多项高电流测试、并获得了预期的结果。 我打算逐渐添加更多线对、并增加支持电路、并尝试增加到4线对。

    我还有几个问题:

    •您为 DSG/CHG 输出电阻器和 FET 栅极电阻器建议了哪些值?

    •在相应的安全事件期间、CHG 和 DSG FET 独立工作。 是否有设置可在任何安全事件期间使两个 FET 同时关断?

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    您好 Alex:

    很高兴您能够根据需要使其更接近工作。

    电阻器取决于多个因素、主要是您需要 FET 的导通和关断速度以及系统可承受的振铃大小。

    CHG 和 DSG FET 串联、每种保护功能将禁用相应的 FET、就像 OCD 禁用 DSG FET 一样。 如果您禁用两个 FET、则没有恢复路径、因为它们的阈值通常基于电流。 我不清楚为什么需要同时关断两个 FET 来提供保护。

    此致、

    怀亚特·凯勒

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    尊敬的 Wyatt:

    以下是我针对此问题的最终解决方法,以防其他人有同样的问题。

    在我的应用中、我将 DSG 电阻器更改为2.2kΩ、并为每个放电 FET 栅极添加了100Ω 电阻器。

    这修复了我的所有放电问题。