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器件型号：TPS7A24 大家好、
我想使用自举电路驱动上部 GaN HEMT、而 VCC 为7.5V。 一个10uF MLCC 用作自举电容器、而'SJPX-H6VR'(Vf≈0.5V)用作自举二极管。 驱动器芯片为"SI8271"、工作频率为200kHz。
预期驱动电压为6V、因此我需要一个 LDO 来将自举电容器(≈7V)上的电压转换为6V。 我们以前使用 LP2985-6.1作为 LDO、但不幸的是、，这款芯片现在已经过时了。
然后、我使用了"TPS7A2401"(可调版本)、根据数据表选择分压器电阻(R1 = 2MΩ，R2 = 560kΩ)、LDO 的输出电容器为2.2uF。 那么问题是、当 GaN 电桥的 VBUS 为0V 时、LDO 的输出良好、 但当我打开主电源、升高电桥的总线电压时、LDO 的输出会升高、最终达到最大值(7V-0.2V 左右)、同时 LDO 供电的下驱动器芯片运行良好。 因此、我不知道原因是否是使用了可调版本的 LDO。
原因是什么、如何解决此问题？
图1和图2显示了这种现象。（图1。 R1=2MΩ，560kΩ；图2。 R1= 200kΩ，R2=Vbus）当我同时降低分压器电阻时、问题 得到缓解、但输出电压误差仍然存在并随着56kΩ 总线和最终饱和。而增大
图1. 
图2. 
此致
高锡尔维亚
