1. 请告知 PROG 引脚开路或短接至 GND 是否存在安全问题。
2. 是否有 BQ25798数据表 eratta?
3. 安装电池时允许的浪涌电流。
安装电池后、浪涌电流会流经 BATFET 体二极管到达 SYS 端子。 请告知其允许电流。
4. 关闭模式和运输模式应用的实例。
如果您有关闭模式和运输模式的任何具体示例(用法差异)、请告知我们。
此致、
香川市
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1. 请告知 PROG 引脚开路或短接至 GND 是否存在安全问题。
2. 是否有 BQ25798数据表 eratta?
3. 安装电池时允许的浪涌电流。
安装电池后、浪涌电流会流经 BATFET 体二极管到达 SYS 端子。 请告知其允许电流。
4. 关闭模式和运输模式应用的实例。
如果您有关闭模式和运输模式的任何具体示例(用法差异)、请告知我们。
此致、
香川市
尊敬的 Kagawa:
关于1、如果 PROG 悬空、则 CELL、SYSMIN 和 BATREG 寄存器将设置为4S。 如果 PROG 短接至 GND、则电芯、SYSMIN 和 BATREG 寄存器将设置为1S。
关于第2条、第
关于3、是的。
关于4、当最终产品需要在附有电池的情况下进行封装并存储在货架上或发运至其他位置时、使用将较低的 IQ 运输和关断。
此致、
杰夫
尊敬的 Michael-San:
由于没有任何器件连接到系统引脚、因此未加载 BQ25798EVM 评估板。
比较充电电流增加前后的寄存器、VSYSMIN 状态寄存器会发生变化、这似乎与 VSYSMIN 引脚相关。
IC 是否设计为在电池电压低于 VSYSMIN 时抑制充电电流?
或者、当电池的电压高于 VSYSMIN 时、充电电流是否设计为会高几个百分点?
下面附件是充电电流增加之前和之后的寄存器值。
充电电流增加前(在数据记录器上的光标 A 处)
2、充电后电流增大(在数据记录器的光标 B 处)
此致、
香川市
尊敬的 Kagawa-San:
请参阅以下第9.3.8.1节中的内容:"当电池电压低于最小系统电压设置时、BATFET 以线性模式(LDO 模式)运行、系统稳压至比最小系统电压设置高200mV 左右。 当电池电压上升到最低系统电压以上时、BATFET 完全打开、系统和电池之间的电压差为 BATFET 的 RDS (ON)乘以充电电流。'
这里的区别在于 BATFET 处于 LDO 模式与完全开启状态。
此致、
迈克·伊曼纽尔