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[参考译文] TPS51116-VDDQ:可通过 FB 电阻调节 EP 输出

Guru**** 2583135 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1265159/tps51116-ep-adjustable-vddq-output-with-fb-resistors

器件型号:EP
主题中讨论的其他器件:TPS51116

我遇到了一个问题、即 VDDQ 输出在启动时过压、且不遵循软启动序列。

我目前使用 TPS51116、其输出电压设置为1.35V、电阻分别为6.04k 和7.5k (高6.04k、低7.5k)(基于内部0.75V 基准)。 启动时、VDDQ 输出超过其应设置的1.35V 阈值、并实际触发 OV 保护并锁存器件(命令高侧 FET 关闭、命令低侧 FET 导通以将输出电压拉低)。

查看数据表时、根据所选的 FB 电阻器、VDDQ 输出应能够在0.75V 和3V 之间调整。

但 TPS51116 EVAL 板文档中指出、VDDQ 只能设置在1.5V 至3V 之间。 是否存在分歧的原因? 这是否仅基于评估板文档建议输出电压大于1.5V?

关于输出不能正确软启动、我还应该关注其他什么情况吗? 如果需要、我可以获得示波器图、但输出似乎没有遵循软启动程序、在87%的 VDDQ 设定点时、斜率会变化至100% VDDQ。

我确实使用外部补偿、但转换器在启动时可能不稳定吗? 是否值得切换到 D-CAP 模式来查看转换器是否会在该模式下启动?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Timothy、您好!

    在本例中、我相信数据表规格是 VDDQ 输出电压范围的首选基准。 由于 DDR3要求、该 EVM 文档仅参考了1.5V 至3.0V、但输出本身应该能够降低( 例如、LPDDR3/DDR4应用为1.2V、但也低于该电压)。

    如有可能、请分享您的原理图以供我们今后参考。 如果需要、我可以设置私人消息空间以进行文档共享。

    对于过冲问题、请提供显示启动/关断波形的示波器捕获。 如果可能、请根据以下应用曲线对捕获结果进行建模、以便我们与数据表甚至 EVM 进行比较。 我将提供电流模式和 D-CAP 模式波形的图像(有关这些采集期间所用设置的更多信息、请参阅 第9节 在数据表中:

      t D-CAP 模式波形看起来更接近软启动预期、因此可能值得测试。

    此致、

    詹姆斯

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我更改为 D-CAP 模式、在输出正确的情况下会获得更好的结果。 我遇到了其他问题、但它们与最初关于过冲的问题不同、因此可以关闭本论坛、针对我看到的其他问题启动新的问题、这可能与从电流模式控制切换到 DCAP 模式相关。