Other Parts Discussed in Thread: LM5176
大家好、我想回顾一下我们计划使用的 LM5176原理图。 我们可以通过私人聊天进行吗?
谢谢。此
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尊敬的 Noel:
40度的相位裕度非常小-建议超过60度-请检查整个输入电压范围-无法进行检查、因为附件只是一个 pdf 文件
VIN 连接错误
原理图中的电流检测显示3乘以1k
建议在 MOSFET 的栅极线路中添加一个0Ohm 串联电阻、如果需要在其中放置一个电阻器。
建议在 SW1和 SW2上为缓冲器添加一个占位符。 因此可以在需要时放置元件、例如由于 EMI
移动大容量电容器后面的 FB 连接-也可在 其后面添加另一个小电容器
此致、
斯特凡
Stefan Schauer 请检查一下
尊敬的 Noel:
注意:对于布局审核 、我们通常需要2-3天的时间。
那么、在这里我们是:
-它似乎地平面从左侧(控制器)分离到功率级。
这将限制 LM5176的接地、
-电流检测电阻应通过开尔文连接方式连接到 CS 和 CSG 引脚
- PGND (引脚19)应直接连接到去耦电容器 C19
-将所有与 AGND 接地相关的组件直接连接到 AGND 引脚
-散热垫上是否有过孔用于将散热垫连接到 GND 层进行散热连接。
请查看数据表第10章中的布局建议。
此外、这篇文章还提供了许多建议:
(+)四开关降压/升压布局提示4:栅极驱动和返回路径布线-电源管理-技术文章- TI E2E 支持论坛
此致、
斯特凡
斯特凡
的接地 您能建议一些改善接地连接的方法吗? 另外、请检查私聊、因为我上传了更新后的板以供审核。地平面似乎从左侧(控制器)分离到功率级。 这将限制 LM5176
尊敬的 Noel:
很抱歉耽误你的时间。
我对 Stefan 提供给我的 Gerber 文件进行了审核、总的来说、布局对我来说很好。
我注意到有一件事、我在哪里有问题要问您:
接地平面看起来仍然分为几个部分。 现在、我不确定是否向我提供了最新的文件。 (您也可以在私人聊天中将它们发送给我)
将所有接地连接在一起可以获得更好的散热器以及任何 GND 平面都不会产生漂移的好处。 例如、如果平面完全分离、则一个接地可能漂移到1V 电平、而另一个接地仍处于0V。 这可能导致系统不稳定。
为避免漂移、最小连接应在所有接地层之间采用一条低阻抗路径。 如果您有可用空间、更大的平面连接会更好。
谢谢、此致、
尼克拉斯