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[参考译文] LM61460-Q1:LM61460AASQRJRRQ

Guru**** 2535750 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1263796/lm61460-q1-lm61460aasqrjrrq

器件型号:LM61460-Q1

您好!
请为部件提供以下条件参数:LM61460AASQRJRRQ

条件:VIN=13.5V、Vout=3.3V、Iout=4.183A、FSW=480kHz、Vout=4.7uH、 输出电容= 3*47uF

参数:
1) 1)内部开关的上升时间和下降时间。
2) 2)死区时间
3)内部开关的体二极管正向电压
4)内部开关的栅极电荷。

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    这些是内部 MOSFET 参数、通常不会公开共享。  

    您需要这些参数用于什么目的? 如果您正在尝试估算效率、则请使用 WEBENCH 设计器工具、因为这些仿真设计都基于多个 EVM 数据集、然后这些数据集会拟合并关联起来以允许客户输入自己的应用参数。

    如果您对负载瞬态仿真感兴趣、请使用产品文件夹中的 PSPSICE 模型。

    此致、

    吉米