我现在正在设计一种在高开关频率下工作的栅极驱动器、用于相对较大的栅极电荷器件。 我注意到、驱动器的内部导通电阻会导致显著的热效应。 这种散热应由外部栅极电阻器进行、该电阻器位于 IC 之外、在热设计方面具有更大的灵活性。 我感到困惑:为什么市场上的几乎所有栅极驱动器 IC 都具有相对较大的导通电阻(导通/关断)、因为在我的理解中、低电压(<80V) MOSFET 可以 轻松制造几十毫欧的 RDS (ON)。 您能告诉我这项功能是由哪个方面决定的吗? 我只能猜测可能的原因如下:
1.成本考量? 相对较大的 RDS (ON) MOSFET 比较低的 MOSFET 便宜得多、并且内部 RDS (ON)不会对大多数应用造成严重的散热问题。
2.死亡面积? 较大的 RDS (ON)可能会导致裸片面积过大、或者在给定栅极驱动器应用的情况下不需要在此功能上浪费面积?
3.可靠性? 大 RDS (ON)可以在 EMC、故障保护或其他方面带来更高的可靠性?
4.易于使用? 在某些情况下、不需要外部栅极电阻器、相对较大的电阻可以为潜在谐振阻尼提供基本的栅极电阻值。
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