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器件型号：TPS51206 我希望在 QPI SPI 闪存接口上有一个有源端接、此接口具有一个4位宽的时钟线路和一个芯片选择线路。 尽管 TPS51206不是 DDR 应用、但它仍然是适合我的预期用途的经济高效的解决方案。
我的运行频率133MHz 低于此器件设计的 DDR 速度。 在本问题中、假设所有六个端接电阻器均为49.9欧姆、并共同连接到 Vtt 输出。 输入 VDD、VDDQSNS 和 VLDOIN 连接到3.3V、并使用独立的电阻器将 S3和 S5上拉至 VDD (3.3V)。 驱动 SPI 闪存的输出是一个3.3V SPI 闪存主控制器、此控制器是微控制器的一部分。 假设按照规格所述连接了所有容值适当的电容器：
1.我的 Vtt 输出电压是1.65V、还是3.3V 的1/2是正确的吗？
2.我是否可以将端接电阻器的稳压器侧作为一组连接在一起？ 假设在此讨论中端接电阻器为49.9欧姆。
3.浏览了10页的问答页面后,上面的连接,对于 S3和 S5来说,使用3.3V 的公共电源电压将不会有问题,同时也会给电源输入和 VDDQSNS 感应输入供电。 我的理解是否正确？
3.因此、考虑到要端接的信号线数量较少、稳压器的拉电流或灌电流将小于200mA、且似乎在该器件的规格范围内。 是这样吗？
4.由于看起来存在额外的电流容量、我能否使用同一稳压器的 Vtt、从第二个串行闪存中另外端接6条类似的信号线？
感谢您回答这些问题。
