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[参考译文] CSD16415Q5：CSD16415Q5的问题

admin
Guru**** 2379540 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16415Q5
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1264094/csd16415q5-questions-of-csd16415q5

器件型号：CSD16415Q5

尊敬的团队：

请帮助我确认 CSD16415Q5的 VDS 规格的下限、无论是否有下限要求或规格不完整、谢谢！

非常感谢。

吉米

  • 0
    TI__Guru**** 2379540 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Jimmy、

    谢谢咨询。 TI 的任何 FET 的数据表中都没有包含最低 VDS 规格。 但是、由于其结构、所有功率 MOSFET 在漏源之间都有一个固有的体二极管、如果在 FET 关断时发生正向偏置、则会导通。 对于 CSD16415Q5、如果源极相对于漏极具有足够高的电压(~0.8V)、则它将处于正向并传导电流。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

  • 0
    TI__Guru**** 2379540 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jimmy：

    让我澄清一下我之前的回应。 TI 在数据表第1页规定了绝对最大值 VDS、并在数据表更下方的电气特性表中进一步说明了最小击穿电压 BVDSS。 这些值通常是相同的、但某些电源块器件指定了瞬态绝对最大值、该值可承受很短的时间。

    谢谢。

    约翰