[参考译文] TPS1641EVM：在施加负载的情况下启动-异常行为

您好、Jim、

我认为器件由于内部 FET 上的高功率耗散而达到热关断状态。 由于高 VDS 和 IDS(负载电流)应力而导致电子保险丝启动期间高功率耗散将导致 FET 结温升高,当温度达到阈值附近时,器件将关闭。  

这种刚性脉冲是由重试计时器实现导致的。 热关断后、器件将在计时器后重试。  

这是器件的预期行为。  

此致

G·库纳尔

您好、Jim、

它们是否使用 CC 负载？ 我建议使用 CR LOAD、因为实际负载更像 CR。 通过减小 dVdT 电容来提高压摆率会有所帮助。  

实际的应用负载是多少？ 我认为这不是在0V 时消耗1A 的负载。 每个负载都有一定的导通阈值。

此致

G·库纳尔

你好，Kunal

如上图所示、测试负载是电阻负载、24欧姆。 在该图中、电流 在开始下降之前仅上升约200 -250mA (电压约为5.25V)。

我将获得有关实际应用负载的更多详细信息。

吉姆 B

您好、Kunal -感谢您的帮助。  如原始消息中的示波器屏幕截图所示、它是24Vin、24ohm 电阻负载。  

无论如何、我都看到、如果输入电压足够高、即使在空载时也可能会中止启动。  附件是我刚刚在32V (失败)和31V (成功)条件下捕获的波形、两者均为空载。  这确实支持您的想法、即器件在高 Vds x ID 下自我保护。  此外、如果我将输入电压降至18V、则能够以24欧姆的电阻成功启动、而之前在输入电压为24V 时无法启动。

因此、回到 Jim 的问题、可以进行哪些调整来使器件很好地保持在其 SOA 范围内？  也就是说、应该对 Cout、Cdvdt 引脚上的电容等施加什么限制？

在32V 时失败。

在31V 时通过