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器件型号：LM5157 您好！
LM5157的过流保护阈值是多少？
内部 MOSFET 的最大耐受电压是多少？
此致、
兰尼
您好、Rannie。
感谢您使用 e2e 论坛。
数据表的器件比较表显示了最大直流电流值和最大 SW 注意事项电压。
由于电感器上存在电流纹波、电流值针对峰值电流有额外的裕度。
SW 注意电压也是 FET 可以处理的最大电压。
此致、
尼克拉斯
您好、Niklas、
感谢您的答复。
拓扑来测试 OCP 时遇到的一些有趣现象。 似乎反激式 从 DCM 更改为 CCM、然后开关停止。
VDS 的长期耐受电压和短期耐受电压是多少？
此致、
兰尼
您好、Rannie。
在这个问题中、我也会坚持使用数据表规格。 
建议的最大 VDS 电压为48V、而50V 为绝对最大额定值。
我会考虑这些短期和长期的限制。
由于有额外的内部裕度、因此如果出现51V 的短电压尖峰、我不会认为器件会直接损坏、
但 TI 无法正式保证器件正常运行、即使在短时间内超出这些限制也是如此。
我假设波形的蓝色信号是开关节点？
如果只有几个略高于50V 的尖峰、则损坏器件的风险较低、但波形看起来绝对最大额定值每隔几个开关周期就超过一次、甚至还有尖峰超过70V。 这实际上可能是一个问题。
此致、
尼克拉斯
您好、Niklas、
抱歉上面的波形中没有标注详细信息、下面是客户的设计和波形图。
Inovance 使用 LM5157设计具有4个隔离式输出的反激式转换器： 18.2V *3 ( 啊 、BH 和 CH、它们是相同的) 12V *1 和1个一次侧反馈绕组( RDC )。
他们在不同条件下对 LM5157的 OCP 进行了测试、结果如下所示：
有 3个问题需要您的帮助以解决或向客户解释：
1. 为什么 Vds (on)上出现电压尖峰、MOS 上出现电流尖峰 变大 之后 VIN 增大 在相同的负载下、例如、Vin 从8V 到16V、VDS_ON 从52V 到61.6V (vs. 2和4)(众所周知)、MOS 上的电压与输出电压有关。
2. 为什么要这样做 电流峰值增加 之后 将 RDC 负载短接 (初级反馈绕组)相比、隔离式绕组(12V 和 AH)是否短路？ (对比1和9、2和10、3和11、4和12)
3、 为什么负载越重,响应速度越快? (与1和2比较)
此致、
兰尼
您好、Niklas、
感谢您的答复。
有关变压器的详细信息：
此致、
兰尼
